tranzistrový měřicí zesilovač

Dotazy na technické problémy, vlastní řešení technických problémů

Moderátor: Moderátoři

Odpovědět
Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
Cust
Příspěvky: 7239
Registrován: 17 led 2007, 00:00
Bydliště: Milotice u Kyjova

tranzistrový měřicí zesilovač

#1 Příspěvek od Cust »

Zdravím bastlíře,
neznáte nějakou hezkou publikaci o zapojeních trnzistorů jako měřicích zesilovačů? Jde mi o návrh vstupních obvodů, které se pak připojí na OZ. Jde mi o měření malých ss proudů (desítky pA) a napětí (jednotky mV) a pulzní proudy (o něco větší) v řádech jednotek MHz. Prostě něco kde je názorně vysvětleno kdy co a jak použít, jaký typ zapojení má jaké vlastnosti a proč (matematika mě nevadí a čím víc tím líp). Nebo nenašel by se tu nějaký mikroelektronik (konstruktér OZ) z Prahy, které by si udělal hezké odpoledne u kavy a piva a udělal mě malinkou nalívárnu o vstupních obvodech?
Dík všem Čust.
Uživatelský avatar
tandel
Příspěvky: 1488
Registrován: 01 led 2008, 00:00

#2 Příspěvek od tandel »

A jakou vstupní impedanci požaduješ u těch mV, a ten OZ musí jet taky na kmitočtech řádu MHz?
Uživatelský avatar
Cust
Příspěvky: 7239
Registrován: 17 led 2007, 00:00
Bydliště: Milotice u Kyjova

#3 Příspěvek od Cust »

frekvence je spíš do 1 MHz, což už mám ověřenou funkčnost OZ a zvládnu to....
u těch vstupů, momentálně mám všechno vyřešeno jen pomocí OZ, takže konkrétní problém nemám, ale jinak jsem používal Rvst nad 10 kOhm při měření napětí a Rvst do 1 kOhm při měření proudu,
u měření proudu pracuji s naprosto ideálním zdrojem proudu, takže odpor není až tak kritický, jen mě omezují ztrátové proudy přs ionyzovanou vodu (chlazení)

tranzistory chci jako upgrade abych snížil hlavně biasové proudy do OZ a neovlivňoval tím moc měření (takže v tomto případě FET)
Uživatelský avatar
tandel
Příspěvky: 1488
Registrován: 01 led 2008, 00:00

#4 Příspěvek od tandel »

Předpokládám nadále, že zmíněné zapojení bude pracovat se stejnosměrným napětím a proudem. Nevím, z jakého důvodu nejdou použít OZ s FETy na vstupu, ale budiž. V každém případě, při použití diskrétních FETů se může zhoršit teplotní stabilita (pokud na ní tedy záleží). Chtělo by to, když už musí být diskrétní FETy, dvojitý FET, který ale dnes obchodníci běžně neskladují. FETy mají navíc podstatně větší napěťový ofset než bipoláry, ale to jsou všechno známé věci, nechci nosit vodu do studny.
Uživatelský avatar
Cust
Příspěvky: 7239
Registrován: 17 led 2007, 00:00
Bydliště: Milotice u Kyjova

#5 Příspěvek od Cust »

jojo, to samo vim...
např. jednoduchý příklad, kde potřebuju udělat ůplně nejjednopduší vstup FET.
Pomocí XTR101 měřím sekundární emisy elektronů z tenkých drátků, proudy se pohybují max 100 pA. Obvod XTR101 má vstupní Ibias asi 60 pA (jestli se nepletu). tzn, musím dostat z drátku víc než 60 procent maxima, což je dost problematické. Tento proud právě potřebuju měřit když je na hodnotě okolo 20 pA, pak mě už víceméně nezajímá. Takže budu muset přidělat před XTR něco co to napraví. Tady jde o stejnosměrný proud (pulzní filtrovaný).
Odpovědět

Zpět na „Poradna“