drivery řady IR211...

Zpráva

epes · #1 Příspěvek od **epes** » 23 úno 2016, 10:43

Hledám technika s vlastními zkušenostmi s používání driverů řady 211.. pro řízení MOS mostů.

#2 Příspěvek od **Zaky** » 23 úno 2016, 11:51

Co bys potřeboval? Je to celkem trouble free součástka, zapojíš podle datasheetu a budíš FET :-)

epes · #3 Příspěvek od **epes** » 23 úno 2016, 12:09

Při zapnutí obvodu dle přiloženého schematu to 1-2minuty maká jak má pak přestane fungovat spodní kanál a pak IR2110 doslova vybouchne. Intenzita výbuch zaleží va velikosti napájení - nejhorší a nejrychlejší konec je pro 2x80V. Pro napětí cca 2x30V to trvá cvilku déle a exploze je jen malinká dírka mezi piny 4 a 5. Ospálil jesm celkem 3 kusy (i FETama) a nevím proč a ani netuším proč. Zapojení je dle jejich doporučení, napájecí napětí je hodně pod povolenými hodnotami.
Celý obvod je buzen pulsy s frekvencí cca 10Hz s možností měnit šířku pulzu. Fialové součástky ve schematu jsou pokusné. Pouze bipolární kondík zásadně ovlivní průběh napětí na cívce - zruší nebezpečné napětové špičky, ale nahradí je menším zákmitem.
Díky za jakýkoliv tip.

procesor · #4 Příspěvek od **procesor** » 23 úno 2016, 12:24

A kde je pripojené Vss .... v lufte?
Na to stačí zdroj 12V. Prečo je tam tých 2OV
A ±80V má kde a ako spojené s Vss.

epes · #5 Příspěvek od **epes** » 23 úno 2016, 12:42

Když se lépe podíváš, tak zjistíš že VSS je spojené s COM a to je v reále spojené s -80V. V obrázku spojení COM se záprným pole bohužel chybí.
Oněch 20V je sraženo zenerkou na 17V dle doporučení.

procesor · #6 Příspěvek od **procesor** » 23 úno 2016, 12:51

A tie 2G2 sú excelente šťastné pri tom nabíjaní a vybíjané s 10Hz frekvenciou bez nejakého obmedzenia prúdu?
Načo to má slúžiť?

Atlan · #7 Příspěvek od **Atlan** » 23 úno 2016, 12:56

Lenze Vss ma byt spojene s S horneho tranzistora a nie s -80V. A co ta D5 a D7? To je naco?

#8 Příspěvek od **forbidden** » 23 úno 2016, 12:58

Chybí tak toho asi trochu víc, jak se má jako ten vrchní tranzistor otevírat?

epes · #9 Příspěvek od **epes** » 23 úno 2016, 13:06

Ajaj, chybička ještě jedna se vloudila. Pin Vs (nikoli Vss)je v reálu spojen se středem D5 a D7. Tyto diody tam být nemusí a nijak nevadí, IR bouchne i bez nich.

#10 Příspěvek od **forbidden** » 23 úno 2016, 13:20

Koukni se osciloskopem na Ugs vrchního tranzistoru. Mám obavu, aby se při tom nízkým kmitočtu nezačal sám uzavírat. Zvlášť ještě při tom nízkým odporu mezi G a S.

samponek · #11 Příspěvek od **samponek** » 23 úno 2016, 13:34

Intenzita výbuch zaleží va velikosti napájení

I když je to jenom 1G1, výbuch na 80V hrozí i tak.
Zkus to porovnat, tohle nevybuchuje

Pojede to na PWM 25kHz s modulací 10Hz, potom tam nebude muset být zhášecí kondenzátory 2G2. Modulace může být sinus a tím na cívce 0.5H nebudou vznikat překmity.
Trimrem 10k a velikostí modulace nastavíš, aby to nechrchlalo - reprákem zapojeným paralelně k cívce.

procesor · #12 Příspěvek od **procesor** » 23 úno 2016, 14:15

forbidden píše: Zvlášť ještě při tom nízkým odporu mezi G a S.

Presne! Ten malý odpor nemá chybu :roll:

samponek · #13 Příspěvek od **samponek** » 23 úno 2016, 14:35

On tam má na nabíjení horního mosfetu 470µ, to na 10Hz stačí i s tím 1k2.
Příčina výbuchů je v principu použití uvedeného zapojení, hlavně v souvislosti s 10Hz, 0.5H, 2G2 a 80V.

epes · #14 Příspěvek od **epes** » 23 úno 2016, 14:38

Raději podrobněji popíšu posloupnost pokusů. Jeden z prvních pokusů byl bez "fialových součástek" - tedy bez odporů R3,R4, D1,D2,D5,D7 a C1,C2 a Vcc bylo spojeno s Vdd, tedy 12V. Začal jsem s napájením cca 2x20V a jen ohmickou zátěží. Oscilogram jedna báseň. Po přidání cívky jsem hodně rychle kontroloval gate T2 a zvýšil Cb(kondík na pinu Vb) na 470uF a pro jistotu rozpojil Vdd a VCC a Vcc napájel extra 17V právě proto aby Cb déle udržel T2 plně otevřený. Na 20V pak vše fungovalo až na opačné napěťové špičky po uzavření T2 nebo T3. Postupně jsem přidával napětí a kontoloval otevírání hlavně T2. Při napájení 2x 80V zpočátku vše vypadalo dobře. Za minutu či dvě přestal fungovat spodní kanál - pozor spodní tranzistor T3 se přestal otvírat- a pak nastal výbuch a požár!! Měl jsem podezření na napěťové špičky a tak jsem přidal D1,D2 a hlavně C1 a C2 které tyto špičky téměř vymazaly. Pak ještě odpory R3,R4. Znovu jsem začal zkoušet na 20V a kontroval gate T2 a pin Vb kvůli zápornému napětí (dle dokumentace snese tento pin +600V ale jen -0,5V).
Vše se zdálo být OK. Při cca 35V se vše opakovalo akorát po trochu delší době a výbuch byl "miniaturní".

Až dorazí noví beránkové a najdu odvahu znovu je zničit zkusím zvětšit kapacitu Cb na doporučovaných 2G2, což se mi zdá trochu moc, a uvidím.

samponek · #15 Příspěvek od **samponek** » 23 úno 2016, 14:48

Změň přístup, nech polomost spínat na třeba 10KHz a potom ho teprve moduluj PWM třeba těmi 10Hz. Odpadnou špičky na indukčnosti a 2G2.
Budeš potom moct regulovat i velikost proudu cívkou v rozsahu 100%.
Filtr nosné frekvence třeba 10kHz ani nebude potřebný, protože cívka 0.5H ho nepropustí, zato modulaci 10Hz ano.
Citlivost v uvedeném zapojení je 150mV, můžeš ji snířit zvětšením odporu 2k2, nebo zmenšením odporu 22k mezi piny 2 a 3 TL494. Kondenzátor mezi piny 2 a 3 je zpětná vazba aby to nekmitalo. Pro modulaci 10Hz ho můžeš značně zvětšit.