samponek píše:KC v obrácené polaritě mezi EB vydrží plný proud 300V zkoušečky = 20mA, to znamená že v praxi ještě víc. při 1mA se nebude dít nic.
U KD 503 mezi EB 10A a je na něm 7V, ověřeno jiskrovou metodou
Zaujal mně rozsah měření, který zmiňuneš, a zeptal bych se, co to vlastně ten přechod zničí.
Vysoké napětí způsobí 'nedestruktivní' průraz, při kterém začne protékat proud i v závěrném směru. Do určité velikosti proudu je to vratný nedestruktivní děj. Hraniční nedestruktivní proud lze možná určit ze ztrátového výkonu, který to ještě uchladí?
Pokud tedy tranzistor snese ztrátu 500mW, na EB přechodu je 5V, snese trand 0.5W/5V=0.1A proud průrazu BE?
Popiš prosím tvoji jiskrovou metodu měření.