Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Myslím, že by ses měl nejdříve důkladně seznámit s funkcí BJT tranzistorů obou polarit. Taky pochop, že běžné řízení MOSFET tranzistorů nevyžaduje žádné další součástky, stačí přivést výstup z digitálního pinu na G přes malý rezistor. Ten rezistor má spíše ochranný charakter a zabraňuje tvorbě proudových špiček při nabíjení a vybíjení náboje z hradlového kondenzátoru.
Pro pochopení funkce různých typů FET tranzistorů mohu doporučit tuhle stránku http://www.elweb.cz/clanky.php?clanek=94

Já tím reagoval na to tvrzení, že indukci si mám představit jako smyčku a že na G-S si mám představit baterii.

" Na vyšších kmitočtech má i jeden závit docela znatelnou indukčnost. A čím větší plocha závitu, tím větší indukčnost. U toho zapojení s tranzistorem teče většina vybíjecího proudu z G do E, pak do C a do S a zpět do G. ..."

Ale psal, jsem že je to nesmysl, že proud nemůže téct do mínusového pólu "baterie" (S), protože je tam nulový potenciál se zemí. Tu indukční smyčku o které je řeč ve videu tam nevidím. Při vybíjení to jde jen směrem do země, jeden směr, nejde to zpět. Takže žádná smyčka.

Tak teď ti nějak nerozumím. Chceš pochopit funkci FET tranzistorů obecně, nebo jen tady toho jednoho, poměrně extrémního případu?

Co se týká obecně obvodů, každý kousek drátu se může chovat jako indukčnost. Záleží pouze na frekvenci signálu, který je aplikován. A velmi strmé hrany mají spektrum signálu do stovek MHz, takže i poměrně krátký vodič má již nezanedbatelnou indukčnost, která se projeví. Ale to už spadá do oblasti poměrně komplikované matematiky a nejde to moc jednoduše vysvětlit.

Tys tu baterku nakreslil místo toho bipolárního tranzistoru. Měla být místo toho MOSFETu (jeho nabité kapacity G-S). To jsem myslel jen, aby ti nepřišlo divné, že proud teče do S. Tomu, že teče do mínusového pólu baterie, snad uvěříš.

ondraN píše:...každý kousek drátu se může chovat jako indukčnost...

Obvody se soustředěnými parametry a obvody s rozprostřenými parametry (snad si ty názvy ještě pamatuji).
Kde a kdy jsem naposled viděl "vykřižování" telefonního vedení?

Indukce tam je. Abys to mohl pochopit, musíš vědět, proč tam ten PNP tranzistor je, a co by se dělo, kdyby tam nebyl.
Takže tam není a není tam ani ta dioda. Pak indukci tvoří vývody mosfetu G a S a vodivé cesty plošného spoje k IO. S kapacitou GS to dává rezonanční obvod - sice zatlumený tím odporem, ale rezonanční obvod. A ten může mosfet rozkmitat - a taky se to děje, jev popsaný jako "ringing". Typická frekvence je +- 100MHz. Při dobré konstelaci může zůstat v oscilacích, což spolehlivě mosfet zničí.
Ten PNP tranzistor s diodou tvoří ochranu:
- dioda nepropouští celý kmit, ale jen jednu půlvlnu => rezonance nenastane
- tranzistor v sepnutém stavu spolehlivě zatlumí rezonanční obvod.
A tím je zapráněno ringingu.
Zkušenější kolegové mě kdyžtak opraví / upřesní.

Budu potřebovat čas na přečtení toho článku.
Ozvu se až to nějak strávím.
Já celkově chci pochopit obecně ale i tady to konkrétní zapojení.
Článek mám rozečtený. Funguje to jinak než jsem si to představoval. Já si představoval, že přes gate a source teče proud.
Budu to číst a až to strávím zareaguji na vaše zprávy. Možná až zítra, pozítří, podle toho kolik bude času.

Když je ten MOSFET trvale zapnutý nebo trvale vypnutý, tak přes G proud neteče. Při zapínání se ale nabíjí kapacita G-S a proud tedy teče do G a z S zase ven. Při vypínání zase naopak do S a z G ven (a kvůli tomu vybíjecímu proudu je vlastně celý ten orloj s PNP tranzistorem).

Ono je to ještě mnohem složitější.
Dej si na youtube hledat videa "Miller plateau" nebo "MOSFETs Vgs flatness"

Ahojte nechcem zakladať novu tému nakoľko sa tu tiež rieši funkčnosť mosfet driveru.

Kym pri low side drivery funkčnosť je celkom jasná nakoľko je Cgate voči zemi a tam už na základe toho koľko ampér zvládneme dodať/odobrať do Gate tak rýchlo ho aj otvoríme.

Pri high side mi nie je jasne jeden moment viď schema a to v momente keď nie je pripojená zaťaž a tak Cgate sa nabíja cez cievku a FB čo je zvyčajne niekoľko KΩ, preto mi nie je celkom jasne ako je možne zabezpečiť rýchle otvorenie Nmosu.

Cgate se nabíjí pouze přes driver (ten trojúhelník). Pracovní napětí pro driver tvoří ten bootstrap kondenzátor.
Z čeho usuzuješ, že jde o N-MOS?

Cust píše:...Z čeho usuzuješ, že jde o N-MOS?

Patrně ze schematické značky a hlavně z funkce obvodu. Všechny (nebo naprostá většina) tyhle budiče typu "High side Low side Driver" používají dvojici typu N.

já nějak přehlédnul tu šipku

Áno už rozumiem , každopádne teda len prúd do Cbst je limitovaní Rfb (ak nie je pripojená zaťaž) a musí byť dostatočne veľký aby sa počas toho ako NMOS je zavretý stihol dobyť . Čo asi nie je problém nakoľko NMOS bude pri nezapojenej záťaže zavretý skoro cely čas.

Ale tam je ještě druhá cesta... Z toho zdroje u diody - Cbst je tam tuším od toho, aby při spínání tranzisotoru se vygenerovalo napětí vyšší pro napájení driveru než je napětí na výstupu (na tlumajzně). A to tak, že může být vyšší než Vin, aby mohl driver v poklidu ovládat tranzistor i v případě, že je malý rozdíl Vin a Vout.