Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Měříš / píšeš chaoticky. Že těch 60 V bylo AC jsi uvedl až dodatečně. Kdybys napsal, na výstupu trafa nebo na vstupu usměrňovače mám 60 V, tak se člověk dovtípí, že myslíš AC.

Ten zesilovač má mít pro stejnosměrný signál zesílení 1. Protože na vstupu je ss 0V (to dělá ten R8 47k) tak na výstupu zesilovače (LS+) musí být i bez zátěže 0V oproti zemi (středu napájení / prázdný trojúhelník / LS-). A pokud tam 0V nemáš, tak jak psal ferdislav, nepřipojuj tam repráky, ať si je nezničíš.

Známý ještě není k dispozici, ale přípravuji se na variantu, že ty konce budou KO(Semelab BUZ901P a BUZ906P), originály v podstatě nejdou sehnat v nějaké normální distribuci a EBay apod. by mohlo být něco jen s nápisem SML.Jen se zeptám jak problematické by bylo nahradit tyto vertikální Mosfety laterálními Exicon ECX10N20 a ECX10P20, když parametry mají podobné. Kromě asi o něco vyššího nastavení klidového Biasu? Díky

Dnes jsem se nudil a chvíli se v tom hrabal, jen ze zajimavosti, se známým jsem to zatím neřešil. Spíše to beru, že se něco přiučim. R5 přerušen, místo 68kOhmu mrtvo. Testoval jsem ty mosfety Fnirsi DSO TC4, jde o to že u N kanálu to ukazuje +- 400mV práh otevření a u P kanalu cca 700mV a Cg 700 pF vs 1100 pF. Ja myslel, že by to otevření mělo být při vyšším napětí?

Otevření tranzistoru (ať už unipolárního, tak i bipolárního) je široký pojem, pokud tam nezazní slovíčko Saturace.
Unipolární tranzistor fakt běžně začne otevírat přechod D-S při tak nízkých napětích, ale Rds je v takové chvíli úplně mimo katalogové údaje - ty se totiž vztahují k případu, kdy je na G tak vysoké napětí, aby se přechod D-S otevřel naplno a Rds kleslo na minimum.
Aneb - měříš tranzistor v lineárním režimu...

Prahové napětí Vgsth se obvykle udává pro Id = 100uA.