Stránka 2 z 2

Napsal: 05 kvě 2009, 22:58
od ZdenekHQ
Klidně může být poškozenej ten řídící obvod, a pak můžeš měnit do nekonečna. Prostě nedokáže odvést náboj z FETu dost rychle a tím ho teplotně likviduje. Možná se výkonové "totem-pole" vyžere stejně jako u VF výkonových tranzistorů, který pomalu ztrácí zisk díky degradaci struktury. Co já vím, co je dneska ještě možný....

Napsal: 08 čer 2009, 19:11
od Habesan
Trochu jsem se koukal po těch mosfetech, který potřebuješ.

V tomhle dokumentu jsou možné náhrady:
AiboMOS Selection Guide

Fairchild FDS6690A:
aibomos: CEM3080, CEM3082, CEM4892
jiný Fairchildy: FDS6294, FDS6680, FDS6680A, FDS6692
IR: IRF7821, IRF7413, IRF7413Z, SI4420DY, IRF7807Z
Vishay: Si4384DY, Si4420DY, Si4886DY, Si4884DY, Si4894BDY
ST: STS12NH3LL, STS11NF30L
Aos: AO4420, AO4446
Toshiba: TPC8009-H, TPC8020-H

Fairchild FDS4435A:
aibomos: CEM4311, možná CEM4435A
jiný Fairchildy: FDS4435, FDS6685
IR: IRF7416, SI4435DY
Vishay: Si4435BDY, SI4441EDY
ST: STS7PF30L
Aos: AO4419
Toshiba: možná TPC8109

A tady je katalog mosfetů Toshiba:
Toshiba Power MOSFETs

Bohužel s konkrétním dodavatelem, který by je měl, ti poradit nedokážu.