Napsal: 16 bře 2010, 20:40
Prakticky jakýkoliv s kanálem P. Mosfet je použit kvůli jeho relativně vyššímu prahovému napětí Ugs oproti pouhých 0,7V u bipolárního tranzistoru, aby i při sníženém napětí o úbytek na diodách byl dostatečně uzavřen. U bipoláru PNP by to šlo řešit jiným způsobem, např. adekvátním snížením napětí na jeho emitoru, děličem v bázi apod. Fantazii se meze nekladou. 