pomoc s výpočtom tranzistoru mosfet

Zpráva

iginoiii · #16 Příspěvek od **iginoiii** » 26 pro 2010, 23:57

vďaka obom, už je mi jasné ktorý graf a ktorý údaj mám sledovať. Tie PSMN2R6-40YS nechám, akurát k nim dám iný budič. Ale tie IRLSL4030 budem meniť, majú kapacitu 12nF, a s podobnými parametrami som našiel aj so 6nF, len tá cena

čo už, ako napísala Andrea, letiet raketoplánom niečo stojí. Však o svojích ďaľších zlyhaniach a neúspechoch budem referovať v tom svojom vlákne

Andrea · #17 Příspěvek od **Andrea** » 27 pro 2010, 06:44

AmarokCZ píše:iginoiii: jediný způsob jak poměrně rychle dostat výsledky docela dobře odpovídající realitě je simulace

To není pravda. Zkusil jsi někdy změřit průběhy napětí na MOSFETu při spínání a porovnat je se simulací?

AmarokCZ · #18 Příspěvek od **AmarokCZ** » 27 pro 2010, 08:51

Andrea: zkusil a nestačil jsem se divit, jak to bylo přesné. (bylo to u Flyback a u Step-UP měniče)
Samozřejmě přesnější výsledky dostanu např. na nepájivém poli, ale to je o něčem jiném.

Andrea · #19 Příspěvek od **Andrea** » 27 pro 2010, 09:08

Tak to bych chtěla vidět, co to bylo za simulátor?

AmarokCZ · #20 Příspěvek od **AmarokCZ** » 27 pro 2010, 09:41

Andreo ono nejde o to, jaký simulátor (byl to SIMetrix), ale o to, co do něj dáš jako vstupní údaje. Z nekvalitních vstupů nikdy nedostaneš kvalitní výstupy, ale to ty víš. S kvalitními vstupy musí být výsledek reálný s každým dobrým simulátorem (alespoň to dává smysl).

Andrea · #21 Příspěvek od **Andrea** » 27 pro 2010, 11:16

Ty sis psal modely reálných MOSFETů?

AmarokCZ · #22 Příspěvek od **AmarokCZ** » 27 pro 2010, 11:21

Můžeš hádat :twisted:

Andrea · #23 Příspěvek od **Andrea** » 27 pro 2010, 11:27

No když říkáš, že jsi dostal reálné průběhy Ugs, Uds a Id, ze kterých šlo určit spínací ztráty, tak jo. Ale spíš ne.

AmarokCZ · #24 Příspěvek od **AmarokCZ** » 27 pro 2010, 12:04

No samozřejmě jsem žádné modely nedělal, mám přece knihovny :!:

(očekával bych, že to znáš)
Navíc u mě je pojem "reálné průběhy Ugs, Uds a Id" docela relativní, protože na starém sovětském osciloskopu průběhy vypadají trochu jinak než třeba na tvém oblíbeném HP/Agilent.

Andrea · #25 Příspěvek od **Andrea** » 27 pro 2010, 13:01

Právě že ty knihovní modely MOSFETů (v PSpice) se při procesu spínání realitě moc nepodobají. Už jsem to tu někde uváděla i s obrázkama.Takže simulace určitě nedá lepší výsledky než výpočet podle katalogových údajů, ty s naměřenými hodnotami korespondovali velice dobře.

AmarokCZ · #26 Příspěvek od **AmarokCZ** » 27 pro 2010, 13:23

Andrea: já mám jiné zkušenosti. Napiš důvod, proč by se neměly podobat, parazitní kapacity tam jsou, parazitní indukčnosti taky, když si uděláš (v simulátoru) závislost mezi Id a Uds, tak to docela přesně odpovídá datasheetu...
Hoď sem jeden model MOSFETu ať vidím, o čem mluvíš.

Andrea · #27 Příspěvek od **Andrea** » 27 pro 2010, 13:35

AmarokCZ píše:parazitní kapacity tam jsou

Jsou, ale chybí jim napěťová závislost, což je při spínání vada dosti podstatná. Model sem žádný nehodím, nemám tu PSpice, ale zkoušela jsem to u IRFP460.

AmarokCZ · #28 Příspěvek od **AmarokCZ** » 27 pro 2010, 13:53

No nevím, když vezmu IRF630, mezi D-S připojím zdroj s lineárním průběhem od 0V do 20 a mezi G-S připojím zdroj 100kHz (obdélník, 100mV rms, impedance 1R), tak se proud GATEm mění v závislosti na napětí D-S asi tak, že při 20V D-S je proud poloviční oproti 0V DS. Tohle trochu vyvrací tvrzení o nezávislosti kapacity na napětí (možná ne

).

Andrea · #29 Příspěvek od **Andrea** » 27 pro 2010, 14:10

Tak nasimuluj spínání IRFP460, odpor v G 3R3, budicí napětí puls 11V, v D odpor 300R a zdroj postupně 0V, 20V, 40V, 80V a 160V. A dej sem v jednom grafu průběhy Ugs a Uds od 0 do 500ns pro všech 5 hodnot napájení. Z toho bude vidět jestli jsou namodelované napěťové závislosti kapacit nebo nejsou.

Tohle vyleze z PSpice:
Obrázek

AmarokCZ · #30 Příspěvek od **AmarokCZ** » 27 pro 2010, 16:00

Tohle mi vylezlo ze SIMetrixu, náběžnou hranu impulzu v GATE jsem dal 100ns (podle tvého obrázku to tak vypadá).