Stránka 2 z 2
Napsal: 19 úno 2017, 18:00
od lesana87
Standardní 100A/600V dioda bude mít Uf tak 1,5V, to IGBT bude mít Ucesat ke 2V.
Napsal: 19 úno 2017, 18:39
od samponek
S těmi IGBT to upřesním, tyto mají při 50A Uces=2.4V, při 150A Uces=2.5V
Napsal: 19 úno 2017, 19:15
od perwin
Je pravda, že jsem si nakonec u IGBT neuvědomil tu ztrátovost, zrovna ten IGBT co jsem psal (NGTB75N60FL2WG) má podle dokumentace UCE(sat) okolo 1,75 V, což je opravdu víc než má obyčejný můstek.
Spíš tam teda použiju nějakej pořádnej MOSFET, třeba
FCH023N65S3L4, ten má RDS(on) pouhých 19,5 mOhm.
Napsal: 19 úno 2017, 19:16
od Habesan
Ty čínský plameny moc důvěry nebudí.
S MosFETem, který má Rds(on)=33mΩ, to lepší nebude.
Chtělo by to nějakých 10mΩ, nebo méně.
Napsal: 19 úno 2017, 19:37
od perwin
Jenže MOSFET na 600 V a 75 A, aby měl RDS(on) pod 10 mOhmů snad ani neexistuje...
Napsal: 19 úno 2017, 20:16
od samponek
Existuje a vyhoví.
Napsal: 19 úno 2017, 20:35
od weed_smoker
Aktivní usměrňovače se obvykle dávaj tam,kde je hodně proudu,vysoká rychlost a malý napětí (měniče pro CPU atd),kvůli tomu úbytku.Jedná se hlavně o obvody s napětím pod 3.3V (2V2,1V8,1V5....0V9) a vysokym proudem.U napětí nad 60V se setkáváme spíš s diodama a tyristorama.
BTW.Zajímaly by mě jistý vlastnosti toho originálu od Bartoně,např.maximální/minimální vstupní frekvence,přepěťová odolnost a taky odolnost nadproudová/zkratová(nebo když je velkej kond(pár mF,ne víc než 33) napřímo za tim) i doporučený jištění,kdybych to náhodou stavěl.