Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Zkuste si to třeba v tomto jednoduchém testovacím zapojení P-MOSFETu ve Falstadu. Napájecí napětí je tam 5V. Napětí na Drainu je 3,3V. Napětí na Gate (můžete zkoušet různě měnit). Je tam přednastavené rozmezí -5 a +5V. MOSFET má nastavený Threshold -3 a Betu 2,5.

Nevím co mají v GMe, ale kdyby nevadilo SMD, tak mám v šuplíku s nízkým Gate-source threshold voltage:
BUK6Y14-40P, DMP3099L, DMP4065S, Si2369

Klidně poskytnu...

Blbé je to v tom, že smd nemám jak otestovat, leda by na to existoval socket pro breadboard.

Tak si na něj napájíš drátky.

mám i socket

Ten socket by se mi hodil Nechci na to pájet drátky. Nevím jak to celé zvládnu špatně vidím a nemám mikroskop. Ale asi bych šel do těch mikrosoučástek smd, bude to celé mrňavé a prťavé a zkusím si tu desku vyrobit sám spíš jako nějaký prorotyp pokud možno bez vrtání. Snad to půjde. Trandíky koupím na GME, ještě pojistky SMD na 100, 150 a 200 mA, vyzkouším co bude ok. Dají se sehnat takové pojistky? ještě jsem se nedíval. Dá se ten socket taky koupit na GME? Nejlepší by to bylo si to narysovat v kicadu, ale to asi nemá smysl když to nemám jak vytisknout na kuprexidovou desku.

Jaký by byl váš odhad na plochu nutnou k vyrobení desky? Aby to bylo co nejmenší a vešlo se to do bateriové komory pro dvě mikrotužkové baterie? Dalo by se to vtěsnat např. na 1x2.5 cm? Nebo menší?

Ony sice existují takovéto destičky:
https://www.gme.cz/v/1508482/ups-so8-ic ... p8-na-dip8
ale pokud tam připojím součástku o čtyřech vývodech a více tak to už neoddělám... protože nejsem vybaven horkovzduškou apod.

Není potřeba to sundávat, hodí se to do šuplete a bude to tam čekat na další pokusy...

Tak tranzistory PNP jsem nejspíš vybral:
SEMTECH BC807-40 - PNP, SMD, 45V, 0.5A, 0.25W, SOT23
1,20 Kč s DPH / ks
https://www.gme.cz/v/1489336/semtech-bc ... tranzistor
Manuál:
https://img.gme.cz/files/eshop_data/esh ... -003.1.pdf
Očekávané Hfe bude ~205.

A P-MOSFET SMD (to je ten co tu už byl navrhován)

INFINEON IRF7329PBF unipolární tranzistor (dva v jednom pouzdře)
22,00 Kč s DPH / ks

Ochr. Dioda: ano
Idss: 4,6 A
Napětí Drain-Source [Uds]: 12 V
Napětí Gate-Source [Ugs]: 8 V
Rds: 30 mΩ
Ztrátový výkon: 2 W
Pouzdro: SO8

https://img.gme.cz/files/eshop_data/esh ... -096.1.pdf

To kaligrafické pero redispera se má naplnit tím lakem pro ochranu před leptáním? A na předem vyznačenou cestu překreslit lak?
https://www.papirnictvipavlik.cz/redisp ... icka-pera/

Ještě mám dotaz jak velký tam mám dát ten kondenzátor na výstup? Nestačil by nějaký malý v smd provedení?

To kaligrafické pero bych nekupoval, to je asi na něco jiného. Já kreslil redisperem, jsou na té stránce (co jsi sem dal) dole. To se namáčí do toho laku. Velikost ti neporadím, to už jsem zapomněl. Ale naplacato jsem kreslil pájecí plošky, hranou jsem kreslil cestičky.

Tak jsem to schéma vylepši. Z 3.3V to "konvertuju" na 2.99V.
To vzniklo omylem tak, že jsem zapomněl připojit kolektor. Ale ochrana v reverzním směru funguje.
Ale jak to že to funguje, když není připojen ten emitor. To tam je jen jako dioda Icb...


https://www.falstad.com/circuit/circuit ... Su8k1djhQA

Ale pro jistotu tam dám rezistor navíc 1M, aby to teklo přes kolektor. Tím se dosáhne vyššího napětí na výstupu.

https://www.falstad.com/circuit/circuit ... wcbJqlzBAA

Otázka ale je jaký bude Ibc cutoff pro 0.5V Uc

Ono by to asi nefungovalo v tom případě, kdy je vlevo zdroj napětí 3,3V a vpravo zdroj napětí třeba 4V. Správně by se měl ten MOSFET zavřít, ale on asi zůstane otevřenej.

Jaká je běžná tloušťka té měděné vrstvy na kuprexidu? Ptám se abych spočítal šířku cesta a tedy i toho pera.