Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Dobrá, dobrá, připouštím, že pokud se ty diody opravdu třídí (dřív to tak bylo u většiny polovodičů, dnes doufám alespoň u seriózních výrobců), Tak to co zbyde je skutečně s Ur>1000V. Bohužel jsem, ale nejednou narazil na proražené diody (pravděpodobně z rýžoviště) v síťových usměrňovačích žluté elektroniky. Upozorňuji, že to nebylo po bouřce, ovšem přepětí v síti nelze vyloučit.
Ono tedy bude také záležet na tom odkud ta dioda pochází. Koneckonců debata o plagiátech tranzistorů už tady také proběhla.
Ale vlákno je o chlazení, tak se k němu vraťme.

Před pár lety jsem si postavil k osciloskopu primitivní zobrazovač závěrných charakteristik PN přechodů a pokud si pamatuji, nenarazil jsem na to, že by dioda měla nižší závěrné napětí než by měla mít podle typu. Nezkoušel jsem to, pravda, při 150 stupních Celsia ale jen při pokojové teplotě, ale i tak v tomto parametru vyhověly. Samozřejmě , že to byl jen velmi omezený vzorek vzhledem ke světové produkci diod. Jen pár desítek jich bylo.

Bylo až překvapivé, že diody dost běžně překračovaly svou třídu i o stovky voltů. Co má asi udělat výrobce, když se mu várka mimořádně povede a všechny diody snesou 800V? Přitom zákazník/velkoodběratel požaduje i diody na 100V, 200V, 400V,.... - protože jsou o několik haléřů levnější.

Obecně snad platívalo u výkonových silových diod, že čím vyšší závěrné napětí(nebo vypínací rychlost), tím větší úbytek v propustném směru jako daň. U nich se vyššího Ur a kratší trr dosahovalo dodatečnými operacemi jako iontová implantace/difuze.

Nevím, jestli je u těchto 1A drobečků stejná závislost Uf/Ur. Myslím, že ne. Takže má vůbec smysl kupovat jiné diody než v nejvyšší napěťové třídě? Nemá. Dívám se, že GME i GES mají pouze 1N4007 na nejvyšší napětí.

Čekám kdy PavleFF dokončíš pokus
Nebo že bys musel vyrobit silnější zdroj?

Když mně jich je líto. Už měly být papírově dávno mrtvé. Všemi podceňované, opovrhované čínské zmetky. Jenže ony bojují jako lvice.

Spojením obou polovin zdrojů můžu udělat asi 7A. Případně připojit další zdroje. Ale zatím váhám, zda a kdy přejdu na level 5A.

PavelFF píše:Obecně snad platívalo u výkonových silových diod, že čím vyšší závěrné napětí(nebo vypínací rychlost), tím větší úbytek v propustném směru jako daň. U nich se vyššího Ur a kratší trr dosahovalo dodatečnými operacemi jako iontová implantace/difuze.

To platí pořád, např. zde: http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/MUR1520-D.PDF

Aby ste sa nenudily zasa stym zavernym napetim, v jednom specialnom zapojeni obcas odite usmernovacia dioda v mostiku a je jedno ci su to 1n4007 alebo 1n4507 proste vykonejsia verzia. Pripisujem to tomu ze sa prerazi napetim potom sa chova ako odpor ktory sa meni tak ze stahuje napetie. Je zaujimave ze tesla 32npxx teraz uz neviem cislo su nejake odolnejsie. Riesenim by bolo zapojit do serie s usmernovacim mostikom odpor to by ochranilo diody pred prekrocenikm zaverneho napetia i ked 100R neviem ci by nieco zachranilo.

Dneska jsem to chtěl skoncovat. Vylepšil jsem chlazení, abych vyzkoušel, jestli dobrý odvod tepla umožní přežít velký proud. Nejdřív jsem je lehce poškádlil pěti ampéry ale tušil jsem, že to s nimi nehne. Tak jsem pustil proud 6A. Patnáct minut teklo 6A, na každé diodě byl úbytek asi 1V a nakonec došlo k tomu, že diody stále fungují.

Čoveče, tak ne, že je běžně nepoužiješ, ty bych naopak použil do nějaký speciální konstrukce, páč budou asi nesmrtelný

Musíš jít nad 10A, tam jsem já skončil - na víc není u mě zdroj.