Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Kremik píše:Danharde, to snad nemyslíš vážně
Pokud se LC obvor rozkmitá tolik, že se tranzistor bude dostávat do inverzního režimu, tak se do něj dostane jak? No přece přes oblast saturace!!!

Vysvětluju to jako pro blby: při rozběhu tam žádná saturace není, sepnutí tranzistoru do saturace, jak to zde některá hovada vysvětlují, není příčinou oscilací
Jste tady parta hovad, kteří ví kulový a kteří ani nechtějí pochopit, jak to opravdu funguje

danharde, zbytečně generalizuješ a zbytečně plýtváš urážkami

Kdyš se na to vyprdneš, tak pořád budeš nejlepší. Ale ostatní při tom nebudou nasraní.

DukeNuke píše:

danhard píše:Ty Colpitts oscilátory fungují stejně dobře i s elektronkama, tam je taky saturace ?

Možná se zeptám hloupě, ale nedá mi to...
Jestliže je saturace u tranzistoru definována tak, že je tranzistor plně otevřen a tudíž již zvyšováním proudu do báze nedochází ke zvyšování proudu kolektoru - analogicky k tomu - neexistuje možnost zapojit elektronku tak, že dalším zvyšováním Ug již nedochází ke zvyšování proudu Ia?

Saturace tranzistoru je především naplnění přechodu BE prostorovým nábojem větším, než je potřeba k otevření CE přechodu na kolektorový proud.
A když potřebuješ tranzistor zavřít, tak musíš odčerpat tento přebytečný náboj, což vede k saturačnímu zpoždění.
A saturační zpoždění závisí v určitém rozsahu na hloubce saturace.

U elektronky takové jevy nejsou, tudíž tam není saturace, ale jen limitace, přebuzení se projeví mřížkovým proudem g1, ale i tam má Ug1 na proud anody vliv.

Podobně se chovaji J-FETy.

Cust píše:danharde, zbytečně generalizuješ a zbytečně plýtváš urážkami

Kdyš se na to vyprdneš, tak pořád budeš nejlepší. Ale ostatní při tom nebudou nasraní.

Tak mě nemaj srát

Já tady hlavně nevidím, že by někdo tvrdil "saturace je podmínkou rozkmitání oscilátoru".
Jinak má danhard pravdu, saturace ve správném významu slova tu není. Ten výklad se zvoníkem je docela trefnej.

danhard píše:Podobně se chovaji J-FETy.

A proto na vstupy, kde hrozí EMI (antény, mikrofony,...), jedině JFET. Tam BJT nepatří!

Takový to mohlo bejt hezký... vlákno.

A dopadlo to jako vždycky na EB, lepší už to tady nebude

Bohužel jsem k tomu taky přispěl

danhard píše:sepnutí tranzistoru do saturace, jak to zde některá hovada vysvětlují, není příčinou oscilací
Jste tady parta hovad

Napřed se nauč porozumět psanému textu. Máš klid, nespěchej. Klidně si ho přečti pomalu a dvakrát. Teprve pak se pokoušej psát.

Kremik píše:

danhard píše:sepnutí tranzistoru do saturace, jak to zde některá hovada vysvětlují, není příčinou oscilací
Jste tady parta hovad

Napřed se nauč porozumět psanému textu. Máš klid, nespěchej. Klidně si ho přečti pomalu a dvakrát. Teprve pak se pokoušej psát.

Kremik píše:Pokusím se to stručně vysvětlit. Musíš brát v úvahu vlastnosti té cívky. V okamžiku připojení napětí má velký indukční odpor, takže tranzistor nemá problém sepnout až do saturace.

Nic takového se tam neděje, v kolektoru není jenom cívka, ale rezonanční obvod a tranzistor má v emitoru značně velký odpor.
Takhle by to nemělo důvod se rozběhnout, to není důvod oscilace

Všimněte si těch vf řešení, správně je, když je studený konec laděného obvodu (cívky) vf zem a všechny kapacity oscilátoru se vztahují k ní, jako to má třeba ten CONION.

Tak určitě

3. příspěvěk od začátku

HF_Tech píše:Ono to zapojení není úplně dobře. Nožička C6 by měla být zapojena na + místo na -...

danhard píše:Je to Colpittsův oscilátor a rozkmitá se šumem.

Není zapotřebí řešit konspirační teorie s přechodovým jevem po zapnutí

danhard píše:Všimněte si těch vf řešení, správně je, když je studený konec laděného obvodu (cívky) vf zem a všechny kapacity oscilátoru se vztahují k ní, jako to má třeba ten CONION.

Toto je schéma z danhardovi simulace
- Bez přechoďáku ani ránu a C3 je na opačný pól než LC (L1, C1) obvod.

V simulaci je to jaksi jedno, impedance spojů a vnitřní odpor zdroje jsou nulové, proto tam není ani blokovací kond v napájení.

Zmije píše:C3 je na opačný pól než LC (L1, C1) obvod.

Vlastnosti zdroje odlišné od ideálního se dají nasimulovat taky, rovněž indukčnost přívodů ke kondu (v ltspice přímo zadat do popisu součástky), stejně jako indukčnost blbě navržený dps, i když je kond zapojen správně
Pojem nasycení elektronky existuje, včetně diody, ovšem bez zpoždění odváděním náboje. Nejasnosti u vakuové saturace se semtam vyskytnou
https://forum.allaboutcircuits.com/thre ... ion.12913/

Zmije píše:
A dopadlo to jako vždycky na EB, lepší už to tady nebude

Mně to přijde jako slušně didaktický vlákno, na rozdíl od různých psychologických vyšetření starých psů ze strany nafoukanýho juvenila.
Analogie kmitavého obvodu s kostelníkem je zcela perfektní.

Mě přišlo pozoruhodné, jak danhard všem říká, že vědí kulové a přitom sám sebe popíra. Trvá na jeho přesném výkladu nějakých termínu, které přitom není ochoten / schopen definovat.

Klidně můžeš použít základní modely a parazitní vlastnosti nasimulovat ekvivalentním schématem. Lze použít i transmition line a simulovat vedení (zpoždění, útlum), vázaná vedení.