Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Jak výrobce určoval Pmax tranzistoru, např. KD503?
Namontoval na ideální chlazení a pak zkusmo zvyšoval P dokud se tranzitor neupekl?
Chápu, že dnes to vypočítají, ale dříve?

Já bych řekl, že vzal max. pracovní teplotu přechodu C-B a tepelný odpor daný velikostí čipu a konstrukcí pouzdra - resp. obráceně: pro daný Pmax si z teploty a pouzdra spočítal potřebnou plochu čipu, aby dosáhl potřebného tepelného odporu.

Co je to KD506?

V zahraničí bylo číslování BC.., BD..., za komančů u nás obdoba KC..., KD...,
"K" tedy můžeme interpretovat jako vyrobeno za komančů...

Ale Tesla vyráběla KD501, KD502 a KD503. A pak KD606.
KD506 pokud vím ne.

tomasjedno píše:Já bych řekl, že vzal max. pracovní teplotu přechodu C-B a tepelný odpor daný velikostí čipu a konstrukcí pouzdra - resp. obráceně: pro daný Pmax si z teploty a pouzdra spočítal potřebnou plochu čipu, aby dosáhl potřebného tepelného odporu.

Jak se chová bipolární Si tranzistor (2N3055 v TO3, KD503) na hranici Pmax a výše? Klesne mu napětí BE při 1mA s gradientem asi -2,5 mV/C , na teplotě 175st.C tedy o 375mV.
Co se děje pokud mu teplota nadále stoupá? Průraz nebo přerušení?
Je elektrická vlastnost tranzistoru, která napoví nebo indikuje hraniční teplotu čipu? Icb0?
Sháním knihu Měření parametrů tranzistorů.

bdn píše:
"K" tedy můžeme interpretovat jako vyrobeno za komančů...

KD..., KC..., KA...,, K jako křeík a GD.., GC..., GA... G jako germanium.

kulikus píše:Je elektrická vlastnost tranzistoru, která napoví nebo indikuje hraniční teplotu čipu? Icb0?

Řekl bych, že fyzikálně je to teplotní generování volných nositelů ve vyčerpané oblasti kolektoru u přechodu C-B, což jednak způsobí nárůst Icb0, a druhak pokles průrazného napětí Ucb.

Díky.

Já bych řekl, že při příliš vysoké teplotě dojde k migraci příměsí způsobujících vodivosti P a N a tak k jejich "naředění" v pracovní oblasti. Tím dojde ke zhoršení parametrů jako ohmického odporu neboli zvýšení saturačního napětí součástky, u tranzistorů může dojít k zmenšení tloušťky vrstvy báze a tím ke zmenšení průrazného napětí atd.

Osobně se domnívám že je to trošku jinak. Když rozlomíme čip tranzistoru na dvě poloviny a opatříme vývody, máme dva tranzistory o polovičním výkonu. Když ho rozlámeme na n kusů, máme n tranzistorů s celkovým výkonem rovným původnímu čipu.
Teoreticky si tedy každý tranzistor můžeme představit jako paralelní spojení nekonečně mnoho nekonečně malých tranzistorů. Ovšem všechny tyto tranzistory nebudou přesně stejné. Když to zjednoduším, každá oblast čipu bude mít trošku rozdílnou betu. Když tedy čipem tranzistoru prochází proud, nejvíce zatížené jsou plochy čipu, které mají betu největší. Těmito místy poteče většina proudu a tím se v nich bude vyvíjet nejvíce tepla. Celkový výkon tranzistoru může být jen takový, aby se tato nejvíce zatížená místa neprorazila.
A teď jde o to, jak rovnoměrně se podaří čip tranzistoru vyrobit. Dejme tomu, že výkon je stanoven tak, aby i nejhorší čipy, které ještě lze akceptovat, tento výkon přežily. Dejme tomu, že za nejhorší použitelné čipy se považují takové, kterými prochází většina proudu jen 1/4 plochy. Pro ně se stanoví nějaký bezpečný maximální výkon. Pokud se čip podaří lépe, tím líp, bude mít větší výkonovou rezervu. V průběhu výroby se však vychytávají mouchy a tak se stále více daří vyrábět čipy se stále menším rozptylem parametrů po celé jejich ploše. Pokud proud prochází celou jejich plochou téměř rovnoměrně, čip v pohodě vydrží až čtyřnásobný výkon oproti tomu, který je zaručován v katalogu.
Něco takového se podle mě muselo dít v Tesle, protože některé jejich čipy vydrží i víc.

Pokud se dobře pamatuju, tak počítat to šlo vždycky. Aspoň na VUT v materiálech něco takového bylo. Pak se to samozřejmě měřilo, ale to bylo empiricky (tedy se vyzkoušel postup) - např. se tranzistor zatížil Pmax + 25% na určený počet sekund. Po zátěži se prošly parametry, a pokud zůstaly beze změny, šel trand do světa.