Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Jak dalece lze překročit mezní nápětí Vdd+0.3V na vstupu integráče bez napětí, tj Vdd=0V.
Potřebuju 'za studena' měřit na vtup připojené okolní Si diody. Jejich Vf=0.7V a k překročení tak dojde. Proud měření mohu volit. Bývá 1mA.

Chybí typ IO, zapojení externích diod atd. (jistě samé nepodstatné věci).

Nicméně proudem omezeným na 1 mA se obvykle nic neodpráskne, ani nenačne (jestliže to nemá kapacitní charakter a napětí neroste kdovíkam).

Pokud se to při daném velmi omezeném popisu dá vůbec nějak chápat, tak dle okolností (!!!) se prostě začnou otevírat i interní ochranné diody v IO a měření tak může být zkreslené.

No, je-li to ze zdroje proudu, pak obvykle bipolár vydrží. Je-li to ze zdroje napětí, který má na výstupu kapacitu, pak její vybíjecí proud může IO poškodit.

Z praxe u CMOS logiky, operačních zesilovačů včetně FET i mikročipů to v tomto módu provozu vydrží 0.3A, takže 1mA nic neznamená.
Možná mě někdo namítne, že je to veliký proud, ale prostě to tak je, uvnitř čipu bývají Schottky a ten přebytek svedou do plusu nebo do mínusu s úbytkem kolem 0.25V podle toho kterým směrem to tam připojíš.

To Vdd+0.3V jsou právě ty Schottky.

U CMOS IO je třeba počítat se substrátovými diodami. Ty se mohou otevřít a úplně zkreslit výsledek měření.

Ty se ale poznají, proud sice taky teče, ale ukazuje větší úbytek.
Zkouším to "na hulváta" klasickou zkoušečkou vodivosti 3.7V lion + žárovka 3V/0.3A a podle jasu žárovky se ukáží Schottky i substrátky.