Ochrana proti přepólování N mosfetem na low side.
Napsal: 13 zář 2024, 18:47
Ahoj
Navrhl jsem zapojení ochrany proti přepólováni pomocí mosfetu viz. obrázek. Podle mne by mělo fungovat dle očekávání. Znejisťuje mne ale fakt, že jsem takové zapojení nikde ani v teoretických povídáních nenašel, takže nevím jestli tam není nějaký háček.
Abych předešel dotazům co proč a jak, načrtnul jsem k čemu má celá věc sloužit. Jde o monitoring jednotlivých 12V olověných baterií zapojených ve velké sérii záložní baterie. Uvedený obvod bude u každé 12V baterie. Při přerušení některé z baterií které je naznačeno vypínačem se na monitorovacím obvodu objeví napětí záporné polarity kolem 100V. Tento způsob jsem zvolil z důvodu nízké ceny, spolehlivosti, absence specializovaných a drahých součástek kde může být problém s dlouhodobou dostupností apod. Monitorovací obvod bude napájen přímo z baterie, bude měřit cca 1x za sekundu a maličký MCU naznačený symbolem OZ bude odesílat velikost napětí přes optočlen do vyhodnocovací karty. Očekávaná přesnost měření je cca ±25mV, což si myslím že není nereálné od takového způsobu měření očekávat. Jediný drobný problém proč se to nepoužívá jež mne napadá je, že při napětí menším než VGS(th) poteče proud přes substrátovou diodu. To mne ale nijak netrápí, protože při takto nízkém napětí se už dávno vyhlásí porucha, takže je mi úplně jedno že měřené napětí bude snížené o úbytek na diodě.
Jaký máte na celou věc názor'?
Navrhl jsem zapojení ochrany proti přepólováni pomocí mosfetu viz. obrázek. Podle mne by mělo fungovat dle očekávání. Znejisťuje mne ale fakt, že jsem takové zapojení nikde ani v teoretických povídáních nenašel, takže nevím jestli tam není nějaký háček.
Abych předešel dotazům co proč a jak, načrtnul jsem k čemu má celá věc sloužit. Jde o monitoring jednotlivých 12V olověných baterií zapojených ve velké sérii záložní baterie. Uvedený obvod bude u každé 12V baterie. Při přerušení některé z baterií které je naznačeno vypínačem se na monitorovacím obvodu objeví napětí záporné polarity kolem 100V. Tento způsob jsem zvolil z důvodu nízké ceny, spolehlivosti, absence specializovaných a drahých součástek kde může být problém s dlouhodobou dostupností apod. Monitorovací obvod bude napájen přímo z baterie, bude měřit cca 1x za sekundu a maličký MCU naznačený symbolem OZ bude odesílat velikost napětí přes optočlen do vyhodnocovací karty. Očekávaná přesnost měření je cca ±25mV, což si myslím že není nereálné od takového způsobu měření očekávat. Jediný drobný problém proč se to nepoužívá jež mne napadá je, že při napětí menším než VGS(th) poteče proud přes substrátovou diodu. To mne ale nijak netrápí, protože při takto nízkém napětí se už dávno vyhlásí porucha, takže je mi úplně jedno že měřené napětí bude snížené o úbytek na diodě.
Jaký máte na celou věc názor'?