Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

U normálního tranzistoru vím jak zjistit ohmetrem jestli je špatný nebo dobrý ale u tohoto typu nevím je nějaký jednoduchý způsob jak to zjistit?díky.

markoni píše:U normálního tranzistoru vím jak zjistit ohmetrem jestli je špatný nebo dobrý ale u tohoto typu nevím je nějaký jednoduchý způsob jak to zjistit?díky.

Vzhledem k tomu že to je mosfet, tak špatně. Ohmetrem tak pokud je proražený do zkratu. Neměřit a v případě podezření vyhodit. Je to korunová záležitost a vymýšlet cokoliv dalšího je ztráta času.

Dá se ověřit funkčnost, schéma zapojení tranzistoru pro test je podobné jako pro bipoláry, jen do Gate se přivádí nikoliv proud v řádu jednotek mA jako u bipolárů, ale napětí přes odpor řádově M1. Problém ale zůstává v tom, že i takto odzkoušený a za dobrý prohlášený j-FET nemusí s tímto názorem souhlasit a v zapojení s pracovní frekvencí už někde v řádu kHz jednoduše odmítne pracovat anebo bude mít minimální strmost nebo rapidně zvýšený šum. Některému zařízení to vadit nemusí, v jiném stejný tranzistor selže. Bohužel, už jsem se setkal s BF245, které nefachčily, i když byly právě vybaleny z Alobalu po donesení z obchodu. Přesto, že j-FETy jsou ke statice ze všech unipolárních součástek asi nejtolerantnější, další měření přímo v aplikaci prokázalo průraz. Nakonec jsem musel tyto součástky koupit osobně v Praze v GESu...

BF245, prodávané jistý čas v GM a u některých prodejců, jen s potiskem 245 bílou barvou, se chovaly divně a tak 30% jich měly chování jako po průstřelu od novoty, některé přestávaly pracovat při Uds kolem 15V. Dodnes nevím, co to bylo zač.

Neviem ako J-FETy, ale mnohe MOSFETy sa daju diodovym testom na multimetri celkom uspesne vyskusat. Ked sa prilozi + na G a - na D (alebo S), tak by merak mal ukazat nekonecno. MOSFET sa otvori a nasledne sa da merat, ze kanal medzi D a S je vodivy. Po prilozeni - na G a + na D (alebo S) by jednym smerom medzi D a S malo byt "vidiet" diodu a druhym smerom nic.
Da sa zistit MOSFET, ktory je prerazeny, preruseny alebo nejaky nacaty (meratelny odpor medzi G a niecim inym, kana ciastocne vodivyl).
Samozrejme taketo meranie nemoze zarucit, ze MOSFET je dobry. Ale moze velmi rychlo odhalit, ze je zly.

Řečeno už bylo dosti, jen bych k lepšímu dal způsob, jak jsme kdysi zkoušeli KF520. Na drain a source se připojil obyčejný ručkový ohmetr. Poté se třel, ovšem nikoliv liščí ohon o ebonitovou tyč, ale plastový hřeben nebo pravítko o svetr. Takto nabité pravítko se opatrně přibližovalo k tranzistoru. V jistý okamžik se začal odpor mezi D a S měnit v závislosti na vzdálenosti pravítka a G. Pokud se ovšem pravítko přiblížilo příliš, MOSFET přestal fungovat - průraz. Je to s podivem, ale po krátkém zácviku bylo touto příšernou metodou možno orientačně vybírat tranzistory podle strmosti. Metoda přišla na svět kdysi v bazaru v Myslíkově ulici v Praze, když jsme chtěli improvizovaně vyzkoušet partiové KF520.

Jó,bazar v Myslíkově ulici, tak to už je jen nostalgie.