Stránka 1 z 1
Neviem ako merat Fet tranzistor
Napsal: 04 dub 2009, 17:27
od mirecko1111
Klasicky tranzistor (E, B,C) viem zmerat v pohode (na diodovom teste) ani mi netreba vediet kde ktory vyvod je ale horsie je to uz z tranzistorom Fet
Z teorie o FET viem asi tolko ze sa otvara alebo zatvara (podla typu) napetim. A ze v kludovom stave je bud otvoreny alebo zatvoreny...
Da sa to niejako jednoducho zmerat?
A ako zistit ci kondenzator ma kapacitu ak nemam merak na C?
Zasa mam len svoj sposob napr. cez diodovy test na meraku + na +C
a - na minus C a opacne na kratko to pipne.... Alebo sluchatko v serii s baterkou....
A je obvod ktory dokaze merat kapacitu C v zapojeni? Alebo bola to len fama co som odnekial pocul??
Dakujem pekne za odpovede!
Napsal: 04 dub 2009, 18:37
od petus
Fet:Jedno schéma bylo na
www.pandatron.cz
kondenzátor: a kapacita se dá změřit střídavým napětím(50Hz) z tvrdého zdroje napětí do série se dá mA metr.Co 1mA to 1uF.ALE POZOR NAPĚTÍ ZE ZDROJE NESMÍ BÝT VĚTŠÍ NEŽ NAPĚTÍ KONDENZÁTORU.A měřič kapacity,který by přímo měřil v zapojení jsem neviděl.Asi proto že by to bylo hodně nepřesné.Ale tester ano.Bylo uveřejněno v amaru.Koukni se do vyhledávače amara
www.jirky.webz.cz
Napsal: 05 dub 2009, 11:41
od cabernet
Ked ma byt FET tranzistor vadny, drvivou vacsinou sa javi pri merani ako skrat na rozdiel od bipolarnych tranzistorov.
Napsal: 05 dub 2009, 13:36
od rnbw
Vacsinou ano, ale obcas byvaju aj prerusene, alebo uplne zakerne maju zvysene Rds(on).
Napsal: 08 dub 2009, 13:52
od mirecko1111
Medzi vyvodom fet tranzistora G a S ma byt odpor asi 500 pri merani na diode test, alebo ma to byt oddelene?
Napsal: 08 dub 2009, 13:55
od rnbw
Diodovy test musi medzi G-S aj G-D ukazat nekonecno. Moze to v momente dotyku hrotu nieco ukazat, ale potom tam musi ostat nekonecno.
Napsal: 08 dub 2009, 13:57
od forbidden
Mezi G-S musi byt u DC proudu nekonecny odpor. Navic od kdy meri diodovy test odpor v Ohmech?
Napsal: 08 dub 2009, 13:59
od mirecko1111
Cize diodovy test v oboch smeroch GS musi ukazat nekonecno? To iste aj pri GD? Dobre chapem??
Napsal: 08 dub 2009, 14:03
od rnbw
Ano, presne tak. FET je riadeny napatim, do gate netecie v ustalenom stave ziadny prud.
Napsal: 08 dub 2009, 14:04
od mirecko1111
Dakujem Vam velmi pekne za pomoc!
Napsal: 09 dub 2009, 07:46
od Semir
Pre orientačné meranie MOSFETOV používam digitálny merač prepnutý na diódový test, a robím to takto:
Pre MOS s kanálom typu N
- mínus na D, plus na S – napätie je asi 450 mV - hoci podľa typu môže byť asi 350 až 550 mV.
- mínus na S, plus na D – neukáže žiadne napätie
- prechod medzi G-S, G-D bez ohľadu na polarizáciu neukáže žiadne napätie, ale ak sa pripojí plus na G a mínus na S spôsobí otvorenie D-S a napätie na prechode je asi 20 mV.
- skratovanie vývodov G-S spôsobí návrat do východzieho stavu.
- pre MOS typu P sú všetky merania ako vyššie spomenuté, akurát s opačnou polaritou. Treba ešte pamätať, že ak je otvorený prechod D-S, je len v jednom smere
Napsal: 09 dub 2009, 07:50
od breta1
Treba ešte pamätať, že ak je otvorený prechod D-S, je len v jednom smere[/quote]
To asi ne. Když už ho tím měřákem mezi G a S otevřu, je D-S otevřený bez ohledu na směr (polaritu).
Napsal: 09 dub 2009, 12:13
od piitr
mirecko1111 píše:Medzi vyvodom fet tranzistora G a S ma byt odpor asi 500 pri merani na diode test, alebo ma to byt oddelene?
MOS-FET by měl být nevodivý v obou směrech. Ale J-FET se bude chovat jako obyčejná dioda. Někdo ty J-FET označuje taky jen "FET".
Napsal: 09 dub 2009, 12:50
od forbidden
MOSFET ma prece integrovanou tzv "body diode" tzn, ze v "zavernym smeru" bude vykazovat ubytek napeti jako zhruba na normalni diode.