Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Mam takovy trapný dotaz, ale nechce se mi to tu teď bastlit a zkoušet. Potřebuji spínat IGBT transistor, ale nechce se mi tam dávat budič, protože to je:
a) LowCost řešení
b) Není pro mě kritický čas plného otevření

Bohatě mi postačuje 100uS, protože PWM je 3Khz. Otázka zní, jestli to takto bude fungovat a dojde do těch 100uS k celkovému otevření a půjde to vybudit přes R30 (1k) a Q2 (2N3904) z TTL 5V MCU, nebo tam budu muset dát Darlington. Případně jestli by stačilo, kdyby byl R30 4k7. Napájení TTL logiky je oddělené přes spínaný zdroj 5V se společnou zemí.

Goody

PS: Spínaný proud bude do 4A

Otazka je, jaky napeti je pred R30? Proud do hradla potece pres R29. Jaka je kapacita prechodu? Z ni a hodnoty R29 jde zhruba vypocitat cas otevreni.

P.S. IRF630 neni IGBT, ale normalni MOSFET.

jo, ted jsem si vsimnul, ze tam budes mit 5V, takze po ustaleni bude na hradlu asi 4,4 V. To chce kouknout do katalogu, jestli je pri tomto napeti uz dostatecne otevrenej pro tvy potreby.

forbidden píše:Otazka je, jaky napeti je pred R30? Proud do hradla potece pres R29. Jaka je kapacita prechodu? Z ni a hodnoty R29 jde zhruba vypocitat cas otevreni.

P.S. IRF630 neni IGBT, ale normalni MOSFET.

Jj sorry. Pred R30 je beton 4,5V. Jinak mas pravdu s tim Mosfetem.

Jo tak to je jeste min, hlavne nezapomen, ze je dulezity napeti mezi G a S. Takze jestlize budes mit jeste nejakou zatez, tak to napeti nemusi byt dostatecny na otevreni (cast napeti bude na te zatezi).

Tak by měl mít parchant 600pF na Gate, tak by to snad mohlo klapnout.

forbidden píše:Jo tak to je jeste min, hlavne nezapomen, ze je dulezity napeti mezi G a S. Takze jestlize budes mit jeste nejakou zatez, tak to napeti nemusi byt dostatecny na otevreni (cast napeti bude na te zatezi).

Takze jestli to chapu dobře tak darlnigton, ale jak jsem psal, tak proud MAX 4A a TTL je napájeno nezávysle.

goody píše:Tak by měl mít parchant 600pF na Gate, tak by to snad mohlo klapnout.

Bez problemu, to bylo jen cviceni pro tebe

goody píše:Takze jestli to chapu dobře tak darlnigton.

Dulezity je co bude za tim tranzistorem, takhle na casti se to neda rict. Napeti na gate meris vzhledem k zemi, ale pro otevreni je dulezity vzhledem k source. Takze jestlize bude ze source nejaka zatez na zem, tak se na ni ztrati napeti potrebny k otevreni.

Popravdě zátěž bude Pb akumulátor. Budu budit PWM ten MOSFET a měřit proud a napětí na MCU. Každopádně budu muset chladit. Na druhou stránku při větších proudech nebude doba otevření tak kritická, protože PWM střída bude třeba 50%, což při 3Khz bude už snad švanda.

Teď mě tak napadá, jestli půjde takto ten akumulátor vůbec dobíjet a ten MOSFET to ustojí a neměl bych tam raději dát nějakou zenerku na to Gate.

Toto zapojenie je uplna blbost ten fet nikdy takto neotvoris uplne.Aj ked skratujes G s D vzdy na nom bude okolo 4-5V.Pouzi P fet.
To uz to mozes linearne ovladat...

Burajko píše:Toto zapojenie je uplna blbost ten fet nikdy takto neotvoris uplne.Aj ked skratujes G s D vzdy na nom bude okolo 4-5V.Pouzi P fet.
To uz to mozes linearne ovladat...

Jj. Ted na to koukam, ze uz mi asi hrabe. Thx.

Takže změna. Teď by měl přes G-S vždy protékat proud a TTL by to měla v pohodě vybudit, pokud to dám takto. Kafe už mi nepomáhá, takže snad pomůžete Vy

goody

Přesně tak, takhle nikdy ten fet naplno neotevřeš. Ovšem ve Tvým případě není problém si vyrobit pomocný zvýšený napětí a tím to otevírat, samozřejmě s ochranou zenerkou v gate.

Pulse2 je lepší, jen tam chybí příslušnej odpor, co ten fet zavře.

Jo, to uz je lepsi. Proud bude pres G-S protekat jen dokud se nenabije kapacita prechodu, pak uz ne. Ale to ti nevadi, MOSFET bude uz seplej.
Jak pise Zdenek, dej tam jeste odpor, kterej zajisti vypnuti bez buzeni.