"dióda" s nízkym úbytkom

[iginoiii]

Zdravím všetkých,

počas listovania v knihe "zaujímavá zapojení 3" od nakladateľstva BEN som našiel schému dióda s nízkym úbytkom. Schému prikladám ako prílohu a porovnanie so schotky diódou. Ide tak dosiahnúť niekoľkonásobne nižšie straty ako s diódou.(poznámka, viem že by šlo použiť výkonnejšiu diódu, a tým by klesli straty na dióde, ale tak isto ide použiť tranzistor s nižším vnútorným odporom).

Veľmi sa mi toto riešenie páči napríklad pre vlastníkov fotovoltaických panelov, kde je každého stratového W škoda. Problém vidím len v budení N MOSFETU, ktorý potrebuje driver, alebo zdroj vyššieho napätia.

otázka1: používa sa takéto zapojenie? pretože som ho ešte doteraz nevidel nikde(to samozrejme ale vôbec nič neznamená, nemám ešte prehľad)

otázka2: z dôvodu problémov s N tranzistorom, som si schému skúsil s P MOSFET(prerábal som ju ja, viď obrázok). A vyzerá v simulácii, že takáto konštrukcia funguje. Je použiteľná?(napr. v prípade fotovoltaických článkov, alebo ako usmerňovač výstupu z transformátoru, takže frekvencie rádovo v HZ)

vďaka za reakcie, s pozdravom, i

ps: na watmetroch merám stratový výkon na "diódach"

[Banda]

Toto zapojení se používá všude tam, kde je ho třeba, takže skoro nikde
A použitelné určitě je, avšak ne příliš výhodné.

[iginoiii]

prečo by to nebolo výhodné? Keď dosiahneme dajme tomu 10* nižšíu stratu, tak na väčších výkonoch by bola návratnosť rádovo pár rokov. A to počítam cenu za elektrickú energiu 10 centov/kwh.

[AmarokCZ]

Když zvážíš náklady na výměnu obyčejné diody, na problémy spojené s touto MOSFET diodou, tak zjistíš, že to nemá smysl. Smysl by to mělo snad jen pokud bys ji použil při malém napájecím napětí, kde dioda způsobuje značnou ztrátu. V ostatních případech je lepší schottky. Stejně jako Banda jsem ji nikde neviděl (kromě článku, který o ní pojednával).

[rnbw]

Napr. v PC zdrojoch s vysokou ucinnostou "80+" sa pouzivaju na usmernenie FETy namiesto diod. Akurat to riadenie vyzera inak.

[procesor]

Pri prúde 4A je úbytok na IRF510 2,4V. Túto hodnotu zvládne aj obyčajná dióda.
IRF540....pre 22A má úbytok 1,2...1,5V
podobne je na tom aj IRF5210.
S teplotou však rastie Rdson ... pri 100°C je odpor aj dvojnásobný.

[iginoiii]

ale irf510 som našiel toto

5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power

0.5 ohmu je strašne veľa, nie je problém zohnať tranzistory so 100 násobne nižším odporom. A ceny sú dajme tomu prijateľné , do dvoch eur

ale súhlasím s ostatnými, že to spôsobuje komplikácie taká dióda.

[AmarokCZ]

S IRF1405 jen 0.02V (s naprosto obyčejným IRFZ44 je to 0.18V), takže to smysl může někdy mít. IRF510 je MOSFET na úplně jiné úrovni, pro usměrňování k ničemu.

[Sendyx]

Jestli to někoho potěší, mám něco podobného v jednom velkém zdroji na hladině 5V/110A.

[BOBOBO]

Tady podobnou věc vysvětluje Andrea . http://www.ebastlirna.cz/modules.php?na ... c&start=15

[Andrea]

K čemu je na tom druhém obrázku ten komparátor, když má sezkratované napájení?
A jak to může fungovat na tom první obrázku, když 393 má výstup s OK a chybí tam pull-up odpor? A navíc je ten komparátor obráceně.

[Sendyx]

Zdá se, že v simulátoru to funguje dobře . Celou dobu čekám, kdy si toho někdo všimne, že to není košer.

[AmarokCZ]

Andrea: funguje to přece jednoduše - MOSFET má přece mezi S a D obyčejnou diodu, takže to "nějak" usměrňuje

[Andrea]

Akorát to první zapojení usměrňuje tak nějak obousměrně.

[iginoiii]

K čemu je na tom druhém obrázku ten komparátor, když má sezkratované napájení?
A jak to může fungovat na tom první obrázku, když 393 má výstup s OK a chybí tam pull-up odpor? A navíc je ten komparátor obráceně.

ospravedlnujem sa, zle som to obkreslil, ten obrázok s N mosfetom. Napájanie LM393 je v knižke zvlášť na 10V, prekreslim.

a to zapojenie s Pmos, to som si vymyslel, takže ma neprekvapuje ak je nanič

prikladám PRESNE zapojenie ako je v knižke, akurát nesedia čísla, v knižke majú plus ako vývod 2, a v datasheete je 3. a naájanie majú v knižke 7, v datasheete je 8