Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

věděl by někdo o N-FETu tak 80V/20A bez diody, pro spínací režim s co nejmenší ztrátou při sepnutí?

MOSFET bez diody budeš hledat asi těžko. V běžných technologiích výroby tam dioda vždycky vznikne. Jedině snad FET se samostatně vyvedenou substrátovou diodou, ale pro velké výkony to bude docela rarita.

To jsem si přesně myslel. Taky mě napadlo dát sériově diodu (ve směru toho N), ale ty ztráty na ní.

Ty diody jsou tam vždy dvě, mezi Sourcem a substrátem a mezi Drainem a substrátem. Spojením substrátu se Sourcem (kvůli homogenitě pole od Gate) se ta jedna vyzkratuje a pak tam straší ta druhá. Takže ani tranzistor se samostatně vyvedeným substrátem není řešení, protože se ten substrát stejně bude muset připojit na nulový potenciál budicího obvodu a na něj bude pravděpodobně připojený i Source.

Můžeš dát dva MOSFETy "proti sobě". Ale je to docela pitomá a složitá záležitost, takže radši použij sériovou diodu.