Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Zdravim.
Mam dotaz, zda kdyz budu zapisovat do eeprom (teoreticky) o velikosti 10B postupne na preskacku jeden B (na pozici 0, pak na 1, na 2....a tak porad dokola), zda timto zpusobem zvysim pocet zapisu o 10x (samozrejme pocitam s tim, ze budu prakticky vyuzivat jen 1/10 pameti)? Je ten max. pocet zapisu (napr. 1000000x) vazany obecne na pristup do eeprom, nebo na zapis do konkretni bunky (B)?
Osobne si myslim, ze by to melo byt zavisle na konkretnich B, ale nejsem si jisty. Pred diky za nazory.

U obyčejné EEPROM (ne Flash) to tak je, tam se maže a přepisuje každý byte zvlášť.
Mimochodem, to cyklické zapisování se tu už probíralo.

Nebo osadit pinově kompatibilní FRAM (třeba FM24C64) a pak se tento problém už nemusí řešit.

Myslim, ze to teda udelam czklicky s eeprom. Chci totiz vyuzit eeprom co je primo v mikrokontroleru, akorat pouziju vetsi rozsah pro delsi zivotnost. Diky za ujisteni.

U AVR se uvádí velikost EEPROM stránky 4 bajty, takže je možné že zapisuje po 4 bajtech a tak by měla zápisová adresa být násobkem 4, aby se neprováděly nadbytečné zápisy na přelomech. Uvádí se to sice u paralelního programování, ale nejsem si jistý zda to nebude platit i o jiných typech zápisů.

aha, tak to jsem nevedel. Na to se podivam. pouzivam AVR, tak se me to mozna bude tykat, ale i kdyby, tak by to az tak nevadilo, potrebuji zapisovat jen 2 B hodnotu, to by nebylo takove hrozne. Diky

Po stránkách se může programovat při externím programování kvůli zrychlení, ale z programu se programuje po bytech. Stejně tak při externím programování se maže celá EEPROM naráz, při programování programem se maže po bytech.

Nevím s tím stránkováním, myslíš že to není nějak konstrukčně dané, že kdyby používal (nějak interně) stránky, tak i při zápisu jednoho bajtu načte stránku, vymaže a zapíše ji celou znovu? Jinak totiž nevím důvod proč u EEPROM používá 4-bajtové stránky, zefektivnění programování není nic moc.

Nevim, tak se zeptej Atmelů.