Stránka 1 z 1

Spojování MOSFETů paralelně a kmitání. *Vyřešeno*

Napsal: 15 dub 2013, 19:20
od forbidden
Hraju si s jednou konstrukcí (el. zátěž) a potřeboval jsem rozdělit vyzářený teplo na dva tranzistory. Spojil jsem je teda paralelně. Akorát mi to šíleně kmitalo, zjistil jsem, že když budím gaty odděleně, každej přímo z výstupu OZ, ale přes vlastní odpor, nekmitá to. Čím to je? Myslel jsem, že to bude jedno, ale zřejmě není.

Díky za rady.

Napsal: 15 dub 2013, 21:30
od Sendyx
Nastuduj si co je gate stopper...

Napsal: 15 dub 2013, 22:19
od forbidden
Dík za nakopnutí. Relevantní info k "gate stopper" jsem sice nevygooglil (spíš se to týkalo elektronek), ale našel jsem dva dokumenty, který se týkají paralelizace MOSFETů. 1, 2, kdyby to někoho zajímalo. Teď už vím, že musí mít každej svůj gate odpor. :) Jo, ještě tento.

Napsal: 17 dub 2013, 06:36
od BOBOBO
Ale tak do 100R , pak to kmitá vesele dál . :D

Napsal: 17 dub 2013, 09:40
od forbidden
Zatím mám společnej 1 kΩ a ke každýmu G taky 1 kΩ. Nekmitá to, nevyžaduju od toho žádný rychlý dynamický změny, spíš pomalejší odezvy. Nemám to ale zatím prověřený dostatečně, protože šuplíkový jetý tranzistory mají mírně rozdílný prahový napětí Ugs. Takže musím koupit jiný a něco vybrat.

Napsal: 17 dub 2013, 13:02
od BOBOBO
No já jsem hleděl sem . 03/10KE

Napsal: 17 dub 2013, 13:34
od forbidden
Díky za článek, jak budu mít vybraný tranzistory, ještě si s tím pohraju.

Napsal: 27 dub 2013, 12:42
od ferro0
forbidden: Stavel jsem tvoji el. zatez, kterou mas na strankach:
http://www.tosi.cz/elektro/el_zatez.html
A potreboval bych pouzit dva mosfety paralelne z duvodu, ze chladic uchladi ztratu do cca 100W. Az to budes mit vyreseny aby to nekmitalo tak se s nama o to podel . Dik.

Napsal: 27 dub 2013, 13:44
od forbidden
Kmitání jsem vyřešil, nakonec jsem musel použít ale 10 Ω pro každej gate. Přesně jak poznamenal BOBOBO. Nicméně problém se jen posunul. Při provozování v lineárním režimu bych potřeboval absolutně stejný parametry, čehož asi nikdy nedosáhnu, takto se výkon nerozdělí rovnoměrně, jeden z tranzistorů se bude přehřívat, druhej bude mít veget. Musel bych to řešit dvěma samostatnýma budičema a snímat proud v každé větvi zvlášť. Do toho se mi už teď nechce, takže jsem to vyřešil jedním silnějším MOSFETem - IXFN106N20 v pouzdře SOT227B.

Napsal: 29 dub 2013, 07:34
od BOBOBO
Ono víš co , zde je oproti bipolárům výhoda . FETy s přibývající teplotou zvyšují odpor a tak alespoň částečně se přenese ztráta vedle . :D

Napsal: 29 dub 2013, 09:19
od forbidden
Ano, když to stihne. Při experimentech jsem omylem pustil do té dvojice odhadem kolem 500 W a nestihl se chudák ani ohřát. :D Protavil se do skoro zkratu a poprvé v životě jsem si spálil pojistku na primární straně zdroje (měl jsem vyplej limit proudu). Po tomhle mě experimentování přestalo bavit a objednal jsem ten silnější kousek.

Napsal: 18 čer 2013, 16:10
od FERYACT
Chtěl jsem jenom přidat, že se nám vyplatilo dávat do "S" odpor.Umožňovalo
to měřit proud v každém transistoru zvlášť.Dávali jsme je i více než dva.
Abychom transistory rychleji a spolehlivěji zavírali dávali jsme na gate záporné napětí.