Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Chtěl bych použít unipolární transil k asymetrické ochraně před špičkama. V jednom směru omezenýma jeho průrazným napětím, ale v druhým jeho normálním Uf. Akorát se v datasheetech neuvádí nic jako Trr. V závěrným směru je samozřejmě velmi rychlej, ale bude tak rychlý i odčerpání nosičů z přechodu po přepnutí polarity z vodivýho směru? Jinak je v plánu paralelní rychlá dioda, asi schottkyna, aby se otevřela dřív, jak ten transil. V nouzi to můžu i změřit, ale třeba s tím má někdo zkušenost. Dík.

Co tím budeš chránit, že řešíš trr?

Gate SiC MoSFETu. Budič zřejmě nestačí, aby se tam nenakmitlo větší záporný napětí a šlehnul se mi přechod G-S. Jede to na asi 1,8 MHz, tak chci všechno co nejrychlejší a nejstrmější, chci omezit ztráty na minimum.

Transily mají velikou kapacitu, nebude to vadit? Lepší jsou diody na zem a na napájení.

Myslel jsem, že mají tak pár set pF, to bych ještě snesl. Diody mě nevím proč vůbec nenapadly, dvě schottky a hotovo. Asi to budu muset změřit tak i tak, co bude lepší. Akorát si nejsem moc jistej impedancí napájení na takové frekvenci. Jestli tam nebudu muset nasázet nějaký další keramiky.

A čo tak trisil?

Trisil by asi nedělal dobrotu v tomto zapojení, potřebuju špičky ořezat, ne zkratovat.

Transil v gate mosfetu bude robit problemy, tym duplom pri takej frekvencii

Pri gate FETu som videl niekde zenerku, ale nebolo to na 1,8 MHz.

Zenerka je taky možnost, záleží na kapacitě, jestli bude nižší, jak transil. Problémy budou akorát když budič nebude stíhat nabíjet gate a vzrostou ztráty. Asi budu muset všechny varianty prostě vyzkoušet a proměřit.

Co já vím z pulsních minohledů a ochran tranzistorů při jehle kolem 1kV, tak jednosměrnej transil nijak neovlivnil časy řádově jednotky us, ale obousměrnej transil to úplně zabil.

Ale asi nejlepší bude to opravdu změřit - nechat jen budič, ideálně jen "jehly", odpojit FET a změřit bez transilu a s transilem.

Tak unipolární transil P6KE16A je úplně v pohodě. Bez něj je rise a fall asi 14 ns, s ním asi 15 ns. Takže žádná tragédie. Nevím, jestli se dá měřit kapacita transilu na můstku, ale ukazuje necelý 2 nF. Budič je normální TC4452 s 2,2 Ω odporem přímo do gate.
Záporný překmity jsou tam i tak, ale nižší. Zatím měřeno bez zátěže jsou max - 2,6 V. Sice bych čekal nižší, ale ono se to blbě měří. Jen jestli použiju perko, nebo zemnící kablík na sondě udělá rozdíl asi 1 V. Uvidíme ještě při zátěži.