Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Zdravím,
zajímalo by mě, jaký bude zhruba odběr budiče TLP250 napájeného souměrným zdrojem ±15 V (střed napájení bude na S tranzistoru, na gate bude +15 V nebo -15 V, když nebudu počítat s úbytkem na budiči), který bude ovládat běžný N-MOSFET 100 V 30 A (nebo dva paralelně) při kmitočtu řekněme 100 až 300 kHz.
Děkuji za odpovědi.

Najdi si v katalogu celkovej náboj do gate pro těch 15 V a máš to.
Vzorečky Q=C*U a Q=I*t ti pak stačí pro výpočet.

Nedávej záporné napětí -15V tak veliké, stačí -5V, jinak si to budeš zbytečně brzdit a projeví se Ti to právě na 300kHz a značném oteplení budiče.

Co jste tu za hňupy ? Jak jste přišli na symetrický napájení TLP250 pro MOSFET ?

Já budič přece vůbec neřešil, ani ho neznám. Jen jsem naznačil, jak se asi dostane k proudovýmu odběru obecnýho budiče při buzení danýho MOSFETu.

Děkuji za odpovědi, možná jsem hňup, ale alespoň dokážu porozumět textu psanému v rodném jazyce.
Jasně píšu, že střed napájení by byl na source MOSFETu, budič by byl napájen ±15 V, to je dohromady 30 V.

Forbidden, ty to máš normálně, počítáš s 15V rozkmitem buzení, ale hoši chtějí budit ten MOSFET do mínusu proti source, tak se ptám proč ?

Protože jsem někde četl, že by se měl MOSFET takovým způsobem rychleji zavírat.

Já se nemůžu pomoct, ale když gate nabiješ na -15V, tak to zase bude náročnější ho nabít na +15V. Nestačí jen to vybití gate na 0V
?

A kolik potřebuješ ty časy ?

Na dynamickou spotřebu Ti stačí náboj x kmitočet

Asi stačí, nemám s tím moc zkušenosti, ale potřeboval jsem vědět, jaký by byl zhruba odběr toho budiče, protože bych ho napájel monolitickým DC-DC izolovaným měničem.

Bežný 100V 30A MOSFET s Qg kolem 100nC a 300kHz bude mít s 10V buzením spotřebu cca 30mA + 10mA klidový odběr TLP250.
Rychlosti hran kolem 50-100ns.
Když bude buzení 30V, tak se spotřeba zvýší asi na dvojnásobek.

Když jsem řešil buzení SiC tranzistoru, bylo v jeho datasheetu taktéž doporučeno v zavřeném stavu přivést na gate -5V. Pracovní frekvence byla 1MHz a jediný rozdíl proti zavírání gate na 0V bylo výrazně vyšší oteplení gatedriveru. Tranzistoru se teplota měřitelně (infrateploměrem, takže v řádu jednotek stupňů) nezměnila. Jestli to bylo o nějaké desetiny, to nevím a neřeším, zjednodušení obvodového řešení gatedriveru a snížení jeho teploty bylo dostatečnou motivací záporné napětí vypustit.

Málokdo si uvědomuje, co tam způsobuje idnukčnost přívodu source.
Změna 10A za 100ns způsobí na 10nH (cca 10 mm přívod) úbytek 1V, který působí proti buzení.

Maxipes_ píše:Protože jsem někde četl, že by se měl MOSFET takovým způsobem rychleji zavírat.

Pak se ale zas bude hůř otvírat když ten G toho MOSFETu bude nabitej opačně a bude se taky víc zatěžovat driver.Na to se používalo do -3V při otvírání 15V a jenom u starejch silovejch trandů s tupym G.Ty nový MOSFETy stačí zavřít tim driverem vybít G do země.
BTW.Známý drivery 3120 a IR21xx zavíraj proti zemi a používaj se i na jiný MOSFETy než od IR.
ad.přívody: Na 100-300kHz už bude dost znát i rozložení,nejen dýlka.