Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Dobrý den,

poraďte prosím jak určit R1 a R2, aby tranzistor co nejméně pochodoval s teplotou přechodu. Ic max bude 20mA. Díky

Dokud je ten obvod v lineárním režimu, tranzistor nebude pochodovat s teplotou, protože je součástí záporné zpětné vazby a to ho stabilizuje.
Odpor R2 vychází ze vztahu U(+oz) = R2*Ie, a R1 může být cokoliv od 0 až po hodnotu, která neomezí proud báze pro maximální proud kolektoru pro minimální teplotu.

tak nějako jsem to i realizoval - při skokové změně Ic z 30 na 4 mA trvá cca 3 min, než tranzistor vychladne a po tu dobu se i mění proud. jedná se o cca 0,2 mA. Jaké jsou hranice tohoto zapojení? Mohu se dostat nastavením odporů na drift cca 0,02 mA?

Necestuje spíš ten odpor, popř. offset toho operáku? Nevím jakou to má betu, ale pokud nízkou, (např. 10) a operák je napájený z vyššího napětí (např. 20V), bude se na něm ztrácet v nejhorším případě okolo 50mW (záleží na shuntu), což ho ohřeje.

Odpor se samozřejmě ohřívá taky, pokud je 100ppm/°C tak při ohřátí o 50°C to udělá to chybu cca 0,15mA.

Bernard píše:Dokud je ten obvod v lineárním režimu, tranzistor nebude pochodovat s teplotou, protože je součástí záporné zpětné vazby a to ho stabilizuje.

Součástí zpětné vazby je emitorový proud, výstupní veličina je kolektorový proud.
Chybu dělá proměnný bázový proud s teplotou.
Dej tam MOSFET, který nebude dělat chybu bázovým proudem.

Mohlo by tohle fungovat? Teď jsem to načmáral z hlavy...

Zátěž mezi kolektor a bod B, pokud to jde...A samořejmě nesmí napájení překročit napájení OZ

Díky za názory. Unap OZ = 5V, Ic = 4 až 20 mA, zesílení kolem 50. Původně jsem měl R1=R2=100Ω. Pak jsem změnil R1 na 1kΩ. Zlepšení nebylo. Dalším krokem byla výměna R2, který měl TKR = 100 za jiný, s TKR = 5. Mírné zlepšení, odhadem poloviční drift proudu. Budu si muset zajistit nějaký přesný voltmetr a ten obvod oměřit i napěťově.

Danhard Ti to snad napsal jasně : použij mosfet + manganin. Problém v tomto případě může být s Unap OZ = 5V, musíš zvolit správné součástky.

Tak manganin snad ne, to má smysl u malejch odporů, to byla jen reakce na rady jistého znalce, který ho chtěl ještě teplotně kompenzovat
Jestli tam má 100R Tk5, tak je celkem jedno, co tam je.
A mosfet s malým Ugs, 2N7000 by mohl vyhovovat, nevím ale co tam má za operák, co umí na výstupu za rozkmit.

Pravda, zapomněl jsem na těch 20mA. Ale když můžou vyrábět kanthal s cca 50Ω/m, proč by nemohl existovat i podobnej drát z manganinu, když už ho navrhuješ jako ideál kolem 20°C.

Že bych navrhl místo toho Howlanda, abys mohl začít láteřit?

@Generalsound: V prvé řadě to bude krásně kmitat, bez ohledu na další funkce.

Ale proč to dělat složitě, když to jde jednoduše ?

No jo, jenže mu vážně teoreticky vychází ta kombinace 1:3 na nulu, stačí se mrknout do tabulek.

Ber to čistě jako akademickou debatu, a když už někdo chce nulu, ať si navine vlastní snímací odpor...

P.S. Čtyřvodičové zapojení tohoto odporu taky není od věci, i když jde o pár mA.

V prvé řadě to bude krásně kmitat - proč by? zpětná vazba je záporná, ne?
Jasný - zapojení je trochu nepraktický, ale byl to jen nápad

ZdenekHQ píše:No jo, jenže mu vážně teoreticky vychází ta kombinace 1:3 na nulu, stačí se mrknout do tabulek.
Ber to čistě jako akademickou debatu, a když už někdo chce nulu, ať si navine vlastní snímací odpor...

Akademická debata s idiotem, který sečte dvě nepřesná čísla z vygooglované přehledové tabulky a dostane přesný výsledek s kalkulačkovou přesností ? Pan inženýr to asi sčítal na kalkulačce
Asi záleží do jaké se podíváš tabulky a jak to porovnáš ? manganin , konstantan
Jednodušší je ale šáhnout do šuplíku a dát tam hotovej odpor, který máš , nebo si objednat odpor s malým Tk