Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Dobrý den, potřeboval bych poradit respektive vysvětlit jak se správně navrhuje napětový stabilizátor ale s MOSFET. Navrhnout lineární stabilizátor
s bipolárním tranzistorem podepřený zenerkou umím. To samé bych chtěl udělat s mosfetem IRF820.

Stačí mi jen učebnicový příklad návrhu a výpočtu třeba s Uin= 40V, Uvýst= 30V/,1A.

Příkladů s bipolárním tranzistorem jsou mraky ale příklad s MOSFETEM s kterým by to bylo vysvětleno jsem nenašel.

fishfinger píše:... Příkladů s bipolárním tranzistorem jsou mraky ale příklad s MOSFETEM s kterým by to bylo vysvětleno jsem nenašel.

Zamyslel jsi se proč asi..?
Mosfet je spínací prvek a pro lineární aplikace nevhodný.

V podstatě stejně, jako s bipolárem, jen místo Ube použiješ Ugs a proudové zesílení nemusíš řešit, návrh se omezí na návrh stabilizátoru s Uzd+Ugs. Také musíš použít ochranu proti překročení dovoleného +-Ugsmax, výpočet ztrátového výkonu je také stejný.

jezevec píše:
Mosfet je spínací prvek a pro lineární aplikace nevhodný.

A proto se hojně používá v zesilovačích audio? Zajímavé.

MOSFETy sa pouzivaju aj v linearnych stabilizatoroch. Casto to videt na zakladnych doskach PC ako napajanie chipsetu a pod. Byva tam operak, par suciasto okolo a FET.

pajosek2 píše:

jezevec píše:
Mosfet je spínací prvek a pro lineární aplikace nevhodný.

A proto se hojně používá v zesilovačích audio? Zajímavé.

Ty mosfety pro audio jsou na takový účel vyrobené a nevím, jestli se ještě pro audio používají, tedy kromě třídy D.

Je potřeba rozlišovat MOSFET a MOSFET. Třeba takový "laterální" MOSFETy mají právě pro svoji menší strmost přímo určení do analogový techniky - daní za lepší chování v lineární oblasti je menší účinnost, protože mají ve srovnání s ryze spínacíma MOSFETama mnohem větší hodnoty RDSON - to je naopak vylučuje z ryze spínacích aplikací, kdy mají i v plně otevřeným stavu nemalej úbytek napětí. To ale v lineárních aplikacích nevadí.

Bipolární tranzistor má poměrně malý a jakž takž definovaný rozdíl napětí mezi B, kde je zenerka a E, kde je výstupní napětí.
U Mosfetu by se muselo zapojení řešit jinak. Tam by to chtělo rozdílový zesilovač (operák nebo minimálně 2 tranzistory)

Prahové napětí Ugs bude kolem 3V a mění se s teplotou. Takže stabilita bude horší, ale pro vyšší výst. napětí a nenáročné použití by to mohlo vyhovět.
Taky pozor na to, že FETy mají sklon samovolně kmitat. Do G bych dal odpor cca 22Ω, vst. i výst. důsledně blokovat kondem keramika+ elyt.

EKKAR píše:Je potřeba rozlišovat MOSFET a MOSFET. .

Je potřeba rozlišovat bipolár a bipolár.
To je snad jasné,že trandy,které jsou určeny ke spínacím účelům by měly být používány v aplikacích jako spinače bez ohledu na to jesti je to bipolání trand nebo mosfet.

Myslím, že v tomto případě "jednotranzistorového" stabilizátoru, který pracuje v zapojení SK (SD), tedy jako "sledovač", je vhodné vybrat právě co nejstrmější průběh závislosti Id na Ugs. U bipolárů se Ube pohybuje v relativně úzkém pásmu, u MosFetů to pásmo může být dost široké a výstupní napětí stabilizátoru průběh Id/Ugs v podstatě kopíruje jako svoji zatěžovací charakteristiku.

To Masar: A co teda IGBT? Byli by spokojeni všichni

U IGBT by návrh probíhal stejně, jako v případě MosFetu. Ale proč ne, že...

pajosek2 píše:

EKKAR píše:Je potřeba rozlišovat MOSFET a MOSFET. .

Je potřeba rozlišovat bipolár a bipolár.
To je snad jasné,že trandy,které jsou určeny ke spínacím účelům by měly být používány v aplikacích jako spinače bez ohledu na to jesti je to bipolání trand nebo mosfet.

Reagoval jsem na Jozefce - protože podobně jako ty zdůrazňuješ rozdílnost technologickýho provedení bipolárů určenejch pro lineární a pro spínací účely tak existujou i různě technologicky vytvořený MOSFETy - jsou typy vhodnější pro spínání, protože mají ve svojí struktuře v podstatě vytvořeno několik paralelně spojenejch kanálů (tím dosahujou mnohonásobně sníženej odpor otevřenýho kanálu), ale pro lineární aplikaci se nehodí, protože mají zároveň i velkou kapacitu hradla, respektive několika paralelně spojenejch dílčích hradel nad těma paralelníma kanálama - neboli kapacitu vyžadující výkonnej proudovej budič atd - a proti nim striktně "analogový" laterální MOSFETy, který mají sice relativně větší odpor otevřenýho kanálu při plným vybuzení hradla, ale jejich odezva na změnu budicího napětí je daleko líp odpovídající jejich použití v lineárních zesilovačích ... O bipolárech jsem nediskutoval, tam jsou ty rozdíly daný dávno hlavně tím, jakou mají ty různý typy křivku ohraničující oblast SOAR ...