Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Ahoj,

po delší době mám možná takový trochu hloupý dotaz, ale pokud mám ABSMAXR u UDS např. 100V platí to i v rozepnutém stavu ? Například induktivní zátěž s hodně pomalou antipraralelní diodou, kdy ale další sepnutí příjde zase až po snížení UDS pod povolenou mez.


díky .. snad je dotaz pochopitelný

Uds max je pochopitelně v rozepnutém stavu, v sepnutém stavu je Uds dané proudem a Rds ON.

OK, chápu ... tzn pokud bude Uds větší i když například vůbec nedojde k sepnutí tranzistoru, dojde k jeho proražení.

Vemu tedy ze šuplíku například IFRP4110. Přivedu na drain 150V, gate zústane blokovaná např 1K odporem k source, tak jej zničím ..


dík

m42orion píše:...pokud mám ABSMAXR u UDS např. 100V platí to i v rozepnutém stavu ?...

Uds se nesmí překročit v žádném stavu
A už vůbec ne ABSMAXR

Ano, Uds se překračovat nesmí. MOSFET se při překročení Uds max začne typicky sám přiotvírat, takže krátké špičky s nízkou energií ho neprorazí, ale provozovat jej tak je pochopitelně nesprávné.

OK ... dík za reakci ..., případně to vlákno smažte, protože to ve své podstatě byla fakt blbá otázka

MOSFET se chová podobně jako zenerova dioda, když se překročí UDS max. začne se otvírat (dojde u něj k lavinovému průrazu). Výkonové MOSFETy mívají v dašítu uvedeno, jakou maximální energii dokážou v tom "zenerovu" režimu pobrat, aniž by je to poškodilo. Je to právě o tom spínání induktivní zátěže bez omezovací diody.
Když se podíváš do datašítu toho IRFP4110, tak tam máš sekci Avalnche Characteristics a v ní je uvedena energie osamoceného pulsu EAS a energie opakovaných pulsů EAR. Takže pokud v té rozpínané indukčnosti není větší energie, než je ta uvedená, tak se tranzistoru nic nestane a tu energii převede na teplo, přičemž "ořízne" napětí z indukčnosti někde na hodnotě >= U(BR)DSS. Pokud bys ale na tranzistor přivedl napětí větší než UDSS z tvrdého zdroje, tak tranzistor zničíš.

lesana87 píše:MOSFET se chová podobně jako zenerova dioda, když se překročí UDS max. začne se otvírat (dojde u něj k lavinovému průrazu). Výkonové MOSFETy mívají v dašítu uvedeno, jakou maximální energii dokážou v tom "zenerovu" režimu pobrat, aniž by je to poškodilo. Je to právě o tom spínání induktivní zátěže bez omezovací diody.

To je zajímavá informace, děkuji ... takže je to nakonec trochu jinak ....

uloženou energii při vypnutí cívky tedy spočítam E = 1/2 * L * I²

při 70uH a 10A se dostanu na 3.5mJ, takže by to měl tranzistor bez problému ustát

Ještě pro úplnost, jak je to u IBGT ? tam jsou mezní hodnoty pro tento případ dány parametrem RBSOA ?