Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Postačí úroveň signálu 320mV na sepnutí malinkého tyristoru?
Kdyby se ještě vyráběly Ge tranzistory, těm by to stačilo...

Ani kdyby byl nejmalilililililinkaťoulinkatější.

kulikus píše:Kdyby se ještě vyráběly Ge tranzistory, těm by to stačilo...

Tak si ho z nich postav

Mohl jsi se zeptat . Na sepnutí tyristoru i triaku je třeba dle kusu určitý výkon . I podle typu i dle kusu a hlavně dle teploty přechodu . Při stoupající teplotě přechodu příkon spouštěcího impulzu klesá .
A proto v průmyslových aplikacích se určí velikost náboje řídícího impulzu dle téměř maxhodnoty řídícího vstupu dle katalogu . Potom sepnou prvky v celé škále povolených hodnot .

Zvažuju jeho použití (citlivého tyristoru) v obvodu hlídání nadproudu MOSFETem v zapojení podobném jako s tranzistorem a shuntem.
Ug tedy courá s teplotou. Je ta změna podobná jako u bipoláru?

Přechod G-K tyristoru se chová zhruba jako mizerná dioda. Normální dioda se otvírá při asi 0.6V. Tyristor potřebuje ještě o něco víc.
Jinak u tyristorů se sleduje hlavně proud Igt, což je proud nutný ke spolehlivému sepnutí. Tyristor se spíná proudem. Ale bez dostatečného napětí proud do G prostě neprotlačíš.

No, já nevím, ale pravdu mají ti přede mnou. Přechod mřížka katoda tyristoru (což je bipolární struktura PNPN, snad jsem se nespletl) je PN křemíkový přechod s otevíracím napětím bratru 0,6V. Aby tyristor sepnul, postačuje otevírací impulz, trvalé napětí nemusí být žádoucí. No a pro otevřený stav musí být dostatečný proud anoda katoda. Pokud je tento proud na mezi přídržného proudu a přechod mřížka katoda je trvale napájen, dochází k tranzistorovému jevu, tj tyristor se pootevírá a uzavírá jako tranzistor. Pokud nemá dostatečné chlazení a přídržný proud je vyšší, může se tepelně odpálit.
Nevím, zda už nejsou tyristory s přechodem kov polovodič (pana Šotka), pak by napětí cca 300mV mohlo postačovat.

Nektere tyristory za pomerne specifickych podminek maji Ugt uz od 200mV. Ale pro prakticke pouziti to moc vyuzitelne neni.

To je zajímavé. Můžeš dát odkaz?

Treba u tohto pisou uz od 200-300mV. Ale pri napeti 500V a teplote 125C.
Jak jsem uvedl, v praxi to moc pouzitelne neni.
http://pdf.datasheetcatalog.com/datashe ... BT168E.pdf

Jenom řeči . Na místo , které uvádíš se nehodí . Může to být člen , který např vypne buzení obvodů , ale musí mít vyhodnocovací část , která ten výkon potřebný k sepnutí v každém případě dodá . Úplně jednoduše a základně hodnota spínacího výkonu courá . Jak jsem výše napsal a sám si hodněkrát vyzkoušel .

Zapojení, kde některá součástka pracuje na hraně parametrů je špatné a budou s ním problémy.
Dá se zkusit náhradní zapojení tyristoru ze dvou Ge tranzistorů, tam se můžeš dostat s Ugk pod 0,3V. Ale stejně bude courat s teplotou. T1 lze i Si, ale pak bude asi pořeba zapojit R1 cca 100k.

A nebylo by praktičtější využít napájecí napětí toho zařízení k napájení nějakého složitějšího vyhodnocovacího obvodu a jeho výstupem teprve spínat ten tyristor ???

To je objev !