konduktometr - tester vodivosti

Zpráva

#46 Příspěvek od **masar** » 16 říj 2007, 20:40

Tranzistor je v GESu běžně k mání. Ale nemyslím si, že je to jeho vina. Pracuje ve spínacím režimu a napětí -Ubp ho musí bezpečně zavřít. Spíš zkontroluj, jest-li třeba není vadný. Zapojení není nijak záludné. Obsahuje zdroj kladného konstantního proudu (elektor uvádí 100uA, dle mého výpočtu spíše kolem 60uA), tvořeného T4-D3-R7 a záporného konstantního proudu (dvojnásobné velikosti), tvořeného T3-D2-R6. Při rozpojeném spínači T2 teče konstantní proud z horního zdroje přes C4 a měřený odpor vody, při sepnutém T2 tečou oba proudy přes spodní zdroj konstantního proudu, přičemž proud přes C4 teče nyní opačně. Na měřeném odporu (vodivosti) tak vzniká střídavé napětí obdélníkového průběhu, jehož kladná půlvlna je měřena (přes C3-R3-R2 a vyhlazena C1)a záporná svedena právě sepnutým tranzistorem T1 do svorky COMM.
Takže doporučuji vzít nejlépe osciloskop a zkontrolovat výše popsanou činnost. Napětí mezi REF Hi a REF Lo se musí pohybovat v rozmezí 0V(při zkratu sondy - tehdy by mělo být přetečení protože vodivost=nekonečno) do jednotek V(při R=nekonečno-tehdy by na displeji měla být 0). To je teorie, praxe ji buď potvrdí nebo vyvrátí. :wink:

#47 Příspěvek od **hafca** » 16 říj 2007, 21:23

Všechno se to točí kolem toho FETu. Kontroloval jsem to a začínám asi blbnout. Na IN HI proti IH LO není žádný napětí, na G u FETu je obdélník a na S a D vývodech už nic. V GESu jsem ten FET kupoval, ale měli jen to C. Zkusim je nějak dohnat, aby sehnali to A.

#48 Příspěvek od **Cust** » 16 říj 2007, 22:17

c je proste standard fsude, ono vetsinou ty posledni pismena ebo cislice udavaji jen taplotu nebo sum nebo neco ve vetsine pripadu zanedbatelneho :-)

- berem to nejlevnejsi at se to dobre prodava
jednou jsem to acko chtel taky a nepochodil jsem (jen na obednavku)

PavelFF · #49 Příspěvek od **PavelFF** » 16 říj 2007, 22:31

Tranzistor je v GESu běžně k mání. Ale nemyslím si, že je to jeho vina. Pracuje ve spínacím režimu a napětí -Ubp ho musí bezpečně zavřít.

Pokud je použit BF245C, tak v nejhorším případě může být "zavírací" napětí Ugsoff až -8V !
Takže soudím, že ani nemusí být vadný, je prostě trvale sepnutý, protože z napájení 9V už se vypínací napětí nevyždíme (pokud by bylo např. polovinou z 9V).

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet- ... F245A.html

#50 Příspěvek od **hafca** » 17 říj 2007, 00:01

Koukal jsem po nějaký náhradě a moc toho nevidím. Z toho co mají v GESu mi napadá 2SK170. Nemá někdo nějakej lepší tip? Pokud možno ale z GESu, ten mám kousek, ale nechat si to odněkud posílat, to by se mi dost prodražilo.

#51 Příspěvek od **masar** » 17 říj 2007, 11:40

to PavelFF:
Byl by trvale otevřený, kdyby nebyl buzen přes kondenzátor. V tomto případě však v záporných půlvlnách Ubp ho nabitý kondenzátor C5 zcela uzavírá. :wink:

#52 Příspěvek od **masar** » 17 říj 2007, 11:55

to hafca: Ten tranzistor 2SK170 se mi jeví jako zcela vyhovující náhrada.

#53 Příspěvek od **hafca** » 17 říj 2007, 20:22

Ten SK u nás neměli a s tím BF to nefachčí. Budu to muset nějak rozdělit a zkusit tu část pro sondu samostatně. Pořád je mi divný, že to reaguje tak ostře na ten trimr, ale asi to souvisí s tím FETem.

PavelFF · #54 Příspěvek od **PavelFF** » 17 říj 2007, 20:43

Změř osciloskopem napětí mezi S a G u T1. Mně se na rozdíl od masara pořád nějak nezdá, že by tam bylo zápornější napětí jak 8V.

Samostatně ti to chodit nebude, protože to všechno spíná ICL7106. A ten chodí dobře, jaks ověřil.

PavelFF · #55 Příspěvek od **PavelFF** » 17 říj 2007, 20:43

Změř osciloskopem napětí mezi S a G u T1. Mně se na rozdíl od masara pořád nějak nezdá, že by tam bylo zápornější napětí jak 8V.

Samostatně ti to chodit nebude, protože to všechno spíná ICL7106. A ten chodí dobře, jaks ověřil.

#56 Příspěvek od **masar** » 17 říj 2007, 21:33

S tím určením maximálního napětí na trimru P1 jsem se seknul. Vzhledem k tomu, že napětí vývodu COMM je o 2,8V nižší než V+ (viz datasheet), vychází maximální napětí na trimru asi 58mV.
Když odpojíš přívod REF Hi a připojíš mezi něj a REF Lo(COMM) napětí 100mV(např. z děliče), měl bys těch 58mV "vidět" na displeji. Tohle ověření bych provedl jako první, jinak nemá cenu pokračovat. Zkontrolovat a nastavit činnost sondy jde přece i externím měřidlem (multimetrem). Na kondenzátoru C1 se musí měnit ss napětí v závislosti na odporu sondy. Ovšem je ho nutno měřit měřidlem s vysokým vnitřním odporem, protože R2+R3=2MOhmy. Napětí musí být podle Ohmova zákona U = Rsondy x 100uA, pro 1kOhm tedy kolem 100mV.

edit: Ještě poznámku k oživování milivoltmetru - je nutno si uvědomit, že údaj na displeji je dán vztahem Obrázek

z něhož vyplývá, že pokud se bude napětí Vref (t.j. REF Hi - REF Lo) pohybovat v blízkosti nuly, bude se vyhodnocovat Vin s obrovským "zesílením", tedy i nepatrné změny nastavení trimru P1 budou mít za následek velkou změnu údaje na displeji. Standartní hodnota Vref je 100mV, kdy bude vstupní napětí Vin=200mV zobrazeno jako 199,9 tedy těsně před přetečením. V konduktometru jsou funkce Vin a Vref prohozeny, to však nic nemění na funkci milivoltmetru. :wink:

#57 Příspěvek od **masar** » 18 říj 2007, 09:59

Pro ujasnění funkce buzení tranzistoru JFET jsem nakreslil tohle náhradní schema. Z něho vyplývá, že po nabití kondenzátoru C5 se tento prakticky nevybíjí (vysoký odpor R4) a na diodě (přechod G-S tranzistoru) se tak vyskytuje napětí až -8V (samozřejmě uvažuji ideální prvky obvodu). :wink:

PavelFF · #58 Příspěvek od **PavelFF** » 18 říj 2007, 10:39

to masar: Odkud víš, že napětí Ubp má amplitudu zrovna 8V? Já našel v datašítu něco o 4V až 6V (typicky 5,5V) .

#59 Příspěvek od **masar** » 18 říj 2007, 10:56

to PavelFF: Máš pravdu, to jsem nějak přehlédl :oops:

. Nicméně i napětí -5,5V by mělo tranzistor dostatečně uzavřít. Vzhledem k velkému rozptylu parametrů u BF245 (Ugs -0,5 až -8V) je však možné, že pro daný kus je toto napětí ještě nedostatečné. Nicméně záměna BF245A za BF245C by v principu neměla vadit, spíše naopak, protože pro stejně otevřený kanál (Id=200uA) leží Ugs v kladnějších hodnotách +3,2 až +7,5V a tranzistor by při Ugs=-5,5V měl být méně vodivý než BF245A. To je ale zase teorie, praxe může být skutečně jiná. Neber to jako polemiku, spíš jen nápady. :wink:

PavelFF · #60 Příspěvek od **PavelFF** » 18 říj 2007, 11:43

Nicméně záměna BF245A za BF245C by v principu neměla vadit, spíše naopak, protože pro stejně otevřený kanál (Id=200uA) leží Ugs v kladnějších hodnotách +3,2 až +7,5V a tranzistor by při Ugs=-5,5V měl být méně vodivý než BF245A.

Tady asi bude jádro pudla. Podle mě je to s NFETem přesně opačně. BF245C potřebuje na uzavření Ugs=-8V, zatímco BF245A potřebuje na uzavření jenom Ugs= - 2V,

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet- ... F245A.html