LG32LJ500U
Moderátor: Moderátoři
LG32LJ500U
Ak áno má zmysel len vtedy ak konštruktér použil aj mosfet s integrovanou ZD medzi G-S a tým by chcel zachrániť PWM IO SSC3S121 v prípade prierazu mosfetu.
Takže v prípade prierazu mosfetu by integrovaná ZD v tranzistore spolu s ZD5V1 zachránila IO aj po prepálení meracieho odporu vďaka tomu, že by sa ZD5V1 zatavila do skratu a tak by sa na G tranzistora neobjavilo nebezpečné napätie pre IO do prepálenia poistky zdroja.
Z fotky je možná patrné, že jde o zenerku v source mosfetu:
p.s.
...Na stránkách, kde se psalo o ZD na 5.1V jeden autor tvrdil, že se Uzd může pohybovat mezi cca 3,5÷5,6V. Výměna za diodu s Uzd=4,7V tam byla úspěšná.