Rozdíl mezi FET a IGBT

Zpráva

#1 Příspěvek od **mi-ro** » 01 čer 2020, 19:53

Přiznám se bez mučení. Jaký je rozdíl, výhody-nevýhody a zda lze nahradit IGBT 600V 25A N FETem 600V 25A. Nějak chápu že Gate bude asi stejný. A to ostaní?

p32 · #2 Příspěvek od **p32** » 01 čer 2020, 20:07

MOSFET = unipolární tranzistor s izolovaným hradlem
IGBT = bipolární tranzistor s izolovaným hradlem

Tady to máš rozepsané.
https://vyvoj.hw.cz/vykonove-obvody/mos ... volba.html

#3 Příspěvek od **mi-ro** » 01 čer 2020, 20:12

Dík za odkaz.

kubajz22 · #4 Příspěvek od **kubajz22** » 02 čer 2020, 13:58

Pokud umíš anglicky, danyk má na svým kanále DiodeGoneWild velice podrobný rozdělení MOSFETů a IGBT. Je to jedno z jeho nejnovějších videí.

BOBOBO · #5 Příspěvek od **BOBOBO** » 02 čer 2020, 14:08

v "malé" praxi pro vařiče IGBT , ve starých invertorech do 60kHz byly IGBT , dnes jsou invertory i nad 200kHz , takže jen FETy .