Germaniový zesíček
Moderátor: Moderátoři
Schema na předchozí straně se nevztahuje k výsledkům měření, bylo myšleno jako demonstrativní k tomu nepříliš povedenému nahrazování bootstrapu. Měření se vztahuje k buzení do invertujícího vstupu 6.
>Danhard
Jo, to už zní konstruktivně. Jak bys to zvenku udělal? Jen prostým děličem mezi napájením a bází toho trandu abys mu nastavil lepší pracovní bod? Můžeš to namalovat?
Problém je také zbytečně vysoká citlivost (či spíše zesílení) toho IO na dnešní dobu, pak se musí zbytečně snižovat nějakým děličem na vstupu pokud to člověk budí nějakým napěťově silnějším zdrojem signálu (velmi pravděpodobné). Tím že se obejde T1 klesne i citlivost, což bych viděl jako plus. Jedinou mouchu u toho inverzního buzení vidím v tom, že pak musí mít zdroj signálu velmi malou výstupní impedanci nebo je nutné strčit ještě něco mezi to. Nebo tam vidíš ještě nějaký další problém, který mi uniká?
Tu vstupní darlingtonovou dvojici jednoduše vyřadíš když propojíš vývod 6 a 8, a z vnějšku si napojíš svoji dvojici nebo co chceš navázanou na vývod 6 a 5, čímž nahradíš tu vnitřní, která jakoby tam nebyla když báze těch tranzistorů nebudou mít žádné předpětí a tudíž se do obvodu zapojení nebudou nijak vměšovat.
To už u jednoúčelových integrovaných obvodů tak bývá.
Předpokládejme napájení z bezvadně filtrovaného, stabilizovaného a nekmitajícího zdroje, bez proudové limitace.
Nejvyšší dosažitelné, nezkreslené výstupní efektivní napětí, bude při zatížení okolo a nad 8R, ležet těsně pod 5V.
Jaké by mělo být maximální rušivé napětí ZA výstupním kýblem, na výstupních svorkách černé krabičky, aby celé zapojení s tímto IO, mělo lineární odstup aspoň -90dB?
Řekněme, že pro ten případ, aby bylo levně-dobře použitelné pro napájení nízkoimpedančních sluchátek.
Že okolo 50µV? A nenachytá se pak na přívody napájení, na výstupní kýbl, na kondy vazební a kompenzační, na bootstrap, nebo na vnitřní odpor výstupu a vedení třeba 10x víc?
A kdyby třeba ne, což je při pečlivé amatérské práci a kvalitních součástkách pravděpodobné:
O kolik lepší, pak musí být odstup budicího stupně, ze kterého by ta struktura byla buzená - do svého invertujícího vstupu 6, se vstupní impedancí řádově vyšších stovek ohmů?
lubos1961, čo 8 na 1 ?
Jasně že lze budit do pinu 5, jen je třeba vzít v potaz vliv T3.
Kremik píše:S tou citlivostí je to stejná hloupost jako bys vytýkal velké zesílení operáku. Vždyť si ho můžeš nastavit jak chceš. Nedostatek basů (zmíněný v odkazu) je taktéž nesmysl. I 810 může běžet od nuly. R mezi 1 a 4 pouze snižuje úbytek DC složky na pinu 4. Má vliv na saturaci v kladné půlvlně ale nelaboroval jsem s ním. V případě DS, DAS je nutný, protože tyto verze ho ve struktuře nemají. Jeho hodnota nebude nijak kritická...
Jasně že lze budit do pinu 5, jen je třeba vzít v potaz vliv T3.
Zbláznil ses už úplně? Které že to verze nemají ve struktuře jaký odpor? A cože to tam má dělat?
Keď vyblokujeme vstupný Darlington, ako ten IO chceme kŕmiť?
No byla řeč o jiném vhodnějším nastavení toho darlingtonu, takže se dá místo toho vnitřního použít externí a může se laborovat. Ale je možno použít jenom jeden tranzistor, a zase laborovat nebo minimálně alespoň musí být mezi vývodem 6 a 5 zapojen odpor a potom jde budit na vývodě 5 a zase je možno laborovat. Však si hrejte.
Pro jistotu, abychom měli na očích, o čem je řeč
- Přílohy
-
MBA810DS_DAS.gif- (127.45 KiB) Staženo 96 x