Měření Udsmax u FET
Moderátor: Moderátoři
Měření Udsmax u FET
Nepoškodí se, když zavřeným trandem procpu cca 1mA?
Při meření je třeba se vyvarovat vzniku oblouku mezi D a přívodem měřícího zdroje (nejlépe tedy zdroj zapnout s už připojenou součástkou). Z ne zcela pochopitelných důvodů může namáhání tohoto typu součástku poškodit, i když není překročen žádný typický parametr (napětí ani proud).
Zkušenost z vlastní praxe (opakovaná), příčina bude možná dynamická, nebo vliv nějakých dalších neuvažovaných skutečností.
Osobně mám nejen na tyto účely vlastnoručně postavený měřák s LCD modulem s ICL7106 a dvěma měniči v sérii jako zdroj VN. Druhý měnič má na výstupu ještě násobič. Třetí použitý měnič napájí modul. Na výstupu VN je vyráběný VN odpor (sériová kaskáda mnoha kusů 1206 zalitá v silikonu), omezuje proud na necelou 1 mA.
Dva měniče v sérii jsou proto, že z napájení (1x LiIon 18650) není úplně snadné jedním stupněm vyrobit necelé 2 kV, které jsou na výstupu. Resp. speciální konstrukce by to asi zvládla, ale tohle bylo po ruce.
Výhoda metody je, že odhalí kusy, které nemají vzorně ostré koleno, což může být indikace nějakého problému. Některé tranzistory nemají krásně pravoúhlou charakteristiku, ale mohou ji mít mírně odporovou, nebo se zpočátku drží a pak se prorážejí (během zkušební půlvlny). Statický způsob měření takovou anomálii tak jednoduše neodhalí, nebo to chce cvik. Zkoušel jsem to ale jen na vypájených kusech. Nové tranzistory to možná nedělají.
Na vysoké napětí používám omezení proudu zdroje cca 1000V, v úplném zkratu 1mA. Pro výkonové tranzistory postačuje napětí zdroje cca 350V, opět v úplném zkratu 1mA. Osvědčilo se mi rozpojovací tlačítko, které stisknu po připojení tranzistoru (či diody).
Ale pozor. Je běžná změna naměřené hodnoty po opakovaném měření, obvykle Uce, poté Ucb a zpět Uce. Snad vliv náhodného vnitřního náboje? Po zkratování B-E již ke změnám nedochází.