Pomohl by mi někdo vysvětlit význam parametru třeba u tranzistoru BU508?
Podle datašitu má Vces 1500V, a Vceo 700V
Vces chápu, je to nulové napětí/zkrat B-E
Ale Vceo , teda odpojená báze , neboli Ib=0 - v jakém zapojení se tohle objeví?
Třeba u BUT11 zase Vces není uvedeno
Vceo 400V
Vcbo 850V, v jakém zapojení se to objeví
Tranzistor - parametr Vceo, Vces , Vcbo
Moderátor: Moderátoři
Jde o to, že zbytkový proud ICB0, který roste s napětím na kolektoru, se musí nějakým odporem odvést.
Zbytkový proud totiž teče přechodem kolektor - báze při napětí i nižším, než UCE0, ale jde o proud velmi malý, dokud nedosáhne napětí této hodnoty, k otevření tranzistoru nestačí, to až při napětí větším, než UCE0.
Teprve při průrazném napětí UCB0 začne ICB0 strmě růst do velkých hodnot, tranzistor je plně otevřený a mezi kolektorem a emitorem je úbytek napětí UCEs, čili saturační napětí.
Pochopitelně to předpokládá, že zdroj má dostatečně velký vnitřní odpor, aby omezil proud tím tranzistorem, jinak se čip přehřeje a protaví.
Když je mezi bází a emitorem zapojený příliš velký (nebo nekonečný) odpor, způsobí už ten malý proud úbytek napětí na něm (tedy i na přechodu báze-emitor) přes asi 0,6 - 0,8 V otevření tranzistoru, takže ten začne vést při znatelně menším napětí, než jaké udrží při zkratu báze-emitor, nebo s malým RBE.
Čili v jakémkoli zapojení se musí počítat s touto vlastností a volit součástky budicího obvodu tak, aby vliv zbytkového proudu byl vyloučený, nebo alespoň v požadovaném rozsahu kolektorových napětí zanedbatelný a neškodný
A to píšu o statickém režimu, kdy tranzistor nepracuje jako spínač, v tom případě totiž také hrají i kapacitní proudy mezi elektrodami.
Zbytkový proud totiž teče přechodem kolektor - báze při napětí i nižším, než UCE0, ale jde o proud velmi malý, dokud nedosáhne napětí této hodnoty, k otevření tranzistoru nestačí, to až při napětí větším, než UCE0.
Teprve při průrazném napětí UCB0 začne ICB0 strmě růst do velkých hodnot, tranzistor je plně otevřený a mezi kolektorem a emitorem je úbytek napětí UCEs, čili saturační napětí.
Pochopitelně to předpokládá, že zdroj má dostatečně velký vnitřní odpor, aby omezil proud tím tranzistorem, jinak se čip přehřeje a protaví.
Když je mezi bází a emitorem zapojený příliš velký (nebo nekonečný) odpor, způsobí už ten malý proud úbytek napětí na něm (tedy i na přechodu báze-emitor) přes asi 0,6 - 0,8 V otevření tranzistoru, takže ten začne vést při znatelně menším napětí, než jaké udrží při zkratu báze-emitor, nebo s malým RBE.
Čili v jakémkoli zapojení se musí počítat s touto vlastností a volit součástky budicího obvodu tak, aby vliv zbytkového proudu byl vyloučený, nebo alespoň v požadovaném rozsahu kolektorových napětí zanedbatelný a neškodný
A to píšu o statickém režimu, kdy tranzistor nepracuje jako spínač, v tom případě totiž také hrají i kapacitní proudy mezi elektrodami.
No, pokud mohu upřesnit, průrazné napětí Vce při prvním měření ukazuje občas menší hodnotu napěťového průrazu, než při pozdějším opakovaném měření Vce po měření Vcb.
Nepodílí se na tom také velikost samovolně indukovaného vnitřního náboje tranzistoru?
Tento jev jsem pozoroval u menších hodnot Vce a větších zesíleních pro více typů výkonových tranzistorů Tesla. Samozřejmě přiložený malý odpor mezi bázi a emitor průrazné napětí Vce velmi příjemně zvyšuje k úrovni Vcb.
Měřící proud je cca 0,4 mA.
Nepodílí se na tom také velikost samovolně indukovaného vnitřního náboje tranzistoru?
Tento jev jsem pozoroval u menších hodnot Vce a větších zesíleních pro více typů výkonových tranzistorů Tesla. Samozřejmě přiložený malý odpor mezi bázi a emitor průrazné napětí Vce velmi příjemně zvyšuje k úrovni Vcb.
Měřící proud je cca 0,4 mA.