Vypocet seriove paralelniho zapojeni LEDs

[EKKAR]

Když už se to tady rozebírá, měl bych taky dotaz - ten odpor 56ohm do gate - proč tam je? A proč zrovna 56ohmů?
Gate přece žádný proud neteče.
Pokud ho beru jako ochranu výstupu 555 při průrazu gate, pak mi vychází nějakých 215mA, což se mi zdá na 555 moc.
Kapacita gate v katalogu je uváděna 1900pF, takže jako ochrana při "nabíjení" gate mi to nedává moc smysl.

FETy mají někdy tendenci na hranách zakmitávat. Ten odpor kmity potlačuje.

To si nemyslím. Kdyby tam nebyl vůbec žádný, pak by bylo nebezpečí zakmitávání ještě nižší.

Chyba, Olchor má pravdu, bez odporu to kmitá daleko častějc. Že do gate MOSFETu neteče proud není totiž pravda - on tam teče a na rozdíl od bipolárního trandu docela fest velkej, protože Gate se proti kanálu Drain-Source chová jako malá kapacita - a tudíž v prvních několika mikrosekundách pro budicí zdroj vlastně zkrat. Akorát že ten proud rychle klesne, jakmile se ta kapacita nabije na příslušný napětí - a když potřebuješ "feťáka" zase zavřít, tuhle nabitou kapacitu musíš zase co nejrychlejc vybít, aby se FET co možná nejkratší dobu nacházel ve stavu "jen částečně pootevřenej" = mimo "saturaci". Když je naplno otevřenej, je na něm minimální úbytek napětí a tím pádem i ztrátovej výkon. Když není dokonale otevřenej, ztrácí se na jeho odporu napětí = FET se hřeje, což je nežádoucí stav. Odpor v Gate tlumí kmity soustavy budič-Gate, kde se to chová jako zdroj s vnitřním odporem (budič se svým Ri) a nabíjená kapacita = v podstatě RC článek, kterej může jak při nabíjení, tak při vybíjení zakmitávat. Vloženej přídavnej odpor to kmitání tlumí.

[DukeNuke]

OK. O té kapacitě tam píšu, je to katalogová hodnota. A je to kapacita a ne RC článek. Berme tedy kapacitu 1,9nF a před ni odpor. Ano, pak se mi to chová jako RC článek a napětí na kapacitě překmitne. Odpor není => nemůže překmitnout. Analogicky při vybíjení. A tudíž ten odpor naopak zákmit podporuje.
Dává mi to smysl pouze v tom, že byť malá, tak kapacita G/S je. A ten odpor chrání výstup z 555 proti nadproudu. Niocméně na netu je spousta zapojení, kde ten odpor chybí zcela, nebo má nějakou hodnotu (vždy vyšší, než 56Ω. Sám jsem sbastlil několik PWM zdrojů pro LED - regulovatelné světlo nad linkou do kuchyně řešené pomocí 555 a mosfet. A nic kmitajícího nebylo.
Jup, sorry, pusťte to z hlavy. Našel jsem http://www.ebastlirna.cz/modules.php?na ... c&p=874634
Díky za odpovědi.

[xsc]

Kde při nabíjení nebo vybíjení RC článku tohoto typu dochází k překmitu?

[DukeNuke]

nevím, jestli tam je, ale dokážu si to představit. reagoval jsem na: "kde se to chová jako zdroj s vnitřním odporem (budič se svým Ri) a nabíjená kapacita = v podstatě RC článek, kterej může jak při nabíjení, tak při vybíjení zakmitávat."
Každopádně v odkazu jsem našel příspěvek od Zakyho, kde píše, že odpor je tam kvůli omezení proudu, čili to, co jsem se domníval od začátku. Rozdíl je v tom, že chrání gate, zatímco já si myslel, že chrání IO.

[Cust]

Jo, jak už bylo napsáno, jde o omezení proudu do GATE. Měl by být nastaven tak, aby nepopravil driver.
Musíš splnit dvě podmínky
1) omezit proud odporem, tak aby jsi nezničil driver, proud maximalní pulzní pak bude U/R
2) zajistit požadovanou rychlost, maximálku ti určí rychlost driveru, časová konstanta R*(Cgate+Crevers*(Rmiller*gm+1)) a samozřejmě rychlost MOSFETu

Kolikrát jsem si odpinknul 5 A driver jen tím, že jsem honil MOSFETy v nanosekundách...

[Olchor]

Drivery mají často interní omezení proudu a přesto se tam odpor dává. Taky při paralelním řazení FETů jsou odpory v G nezbytné. Není tam jen kapacita G-S, ale dost podstatná je Millerova kapacita G-D a různé parazitní indukčnosti spojů a vývodů. FETy jsou na kmitání sfině.

[Cust]

Driver odpálíš i s omezovačem proudu, pokud jedeš v rychlostech vyšších než funguje omezení.