Uvnitř tranzistoru chybí čip (fake IGBT GT60N321)

Vše o nekvalitním materiálu, výrobcích, zboží. Vyslovení vlastního názoru na cokoliv a v mezích slušnosti není nijak v rozporu se zákony této země ani Pravidly EB. Vše ostatní jde automaticky směr koš.

Moderátor: Moderátoři

Zpráva
Autor
samponek
Příspěvky: 3885
Registrován: 11 kvě 2015, 00:00

#16 Příspěvek od samponek »

V pravém jsou čipy dva a půjde o diodu.
Proč je tedy v čínském IGBT jenom MOS bez druhého čipu ?
Přílohy
N MOS.jpg
N MOS.jpg
Naposledy upravil(a) samponek dne 02 čer 2024, 09:40, celkem upraveno 2 x.
samponek
Příspěvky: 3885
Registrován: 11 kvě 2015, 00:00

#17 Příspěvek od samponek »

ondraN píše:Ten třetí zleva?


správně :D
Uživatelský avatar
PavelFF
Příspěvky: 5328
Registrován: 18 úno 2008, 00:00
Bydliště: Brno

#18 Příspěvek od PavelFF »

samponek píše:V pravém jsou čipy dva a půjde o diodu.
Proč je tedy v čínském IGBT jenom MOS bez druhého čipu ?

Buď proto, že je to prostě čínský IGBT. Kdoví, co to je doopravdy.
Ale možná taky některá provedení prostě neobsahují vnitřní diodu, protože se dá v případě potřeby doplnit zvenku. U bipolárních tranzistorů taky uvnitř pouzdra dioda není a je to normální.
Dioda uvnitř pouzdra bude dávat lepší dynamické vlastnosti než zvenku(minimální délka přívodů, indukčnost, odpor,...).
samponek
Příspěvky: 3885
Registrován: 11 kvě 2015, 00:00

#19 Příspěvek od samponek »

Nejhorší IGBT má Uce= 110V a Cge=16nF, další 180V, 230V, 650V, 750V, 890V, 930V a 8n5 a nejlepší 1400V.
Nejhorší NMOS Uds=400V a Cgs=4n
Pak Uds 800V Cgs 8n6
Nejlepší 950V a 17nF

Vítězi testu sedmdesáti fake je IGBT 1400V a 27n, zbytek 760V a 8n7.
(všechno s označením GT60N321)
Uživatelský avatar
Behemot
Doporučuje se dohled moderátorů
Příspěvky: 2417
Registrován: 01 lis 2013, 00:00
Kontaktovat uživatele:

#20 Příspěvek od Behemot »

PavelFF píše:
samponek píše:IGBT má dva čipy MOS a BJT, tady je jenom jeden MOS :D
To sotva. Celá struktura IGBT je v jednom plátku křemíku. Ten druhý čip je dioda.
https://www.mdpi.com/sensors/sensors-21 ... 4-g001.png
aneb jak si zas šampón nasral do gatí :lol:

Zrovna tak není důvod, aby dioda nemohla být na jednom křemíku, tomu se řiká integrace :wink: dávat dva různý šlo možná před těma dvaceti rokama, kdy to byla pořád eště (v našich končinách určitě) docela čerstvá technologie a nebyl problém za jeden vypláznout desítky dolarů. Dneska? :roll: dyž se koukneš k výrobcovi, co vidíš na prvním řádku? trend je jasnej https://www.infineon.com/cms/en/product ... lel-diode/

Devices co-packed with an anti-parallel diode or with monlithically integrated diode to fit your application best :lol:

(jo, mají to tam takle, včetně toho chybějícího o ;-))
Uživatelský avatar
Mysteri
Příspěvky: 3166
Registrován: 12 bře 2008, 00:00
Bydliště: Považie - Vorošilovo

#21 Příspěvek od Mysteri »

makak píše:V dávných dobách socialismu......
Môžem hádať? Okolo r.1985? Totiž, v tomto roku nám ČKD Polovodiče veľmi meškali s tyristormi (ich odberateľ No1 bolo Japonsko a druhý sme boli my, ZŤS EVÚ...)Vtedy nám stálo množstvo rozrobených regulácií do sústruhov SUI pre TOS Trenčín. Z toho obdobia mám pamätnú situáciu, keď riaditeľ Bublinec, nazývaný ,,Bublifuk", prišiel do výroby a to tam videl, sa pýtal, pre čo to tam je. Keď sme mu vysvetlili, že chýbajú tyristory z ČKD, tak si nechal vysvetliť, že to je v podstate polovodičová spínacia súčiastka (ako inak vysvetlíte ,,Inginierovi" z vyšších, riadiacích sfér, činnosť tyristora ?....), Tak on zavelil: ,,Tak tam dajte stykače ! "..... 😁
Odpovědět

Zpět na „"Čínský" a jiný šmejd“