Elektronické počítadlo k ruční vrtačce pro vinutí induktorů
Moderátor: Moderátoři
Objímky jsou problém v případě, že to zapojení je v zařízení vystavený vibracím. Tam dochází k vyklepání a zhoršení kontaktních poměrů. Proto se i CMOS švábstvo do desek všeobecně pájí a objímky se používají jen v místech, kde to je nezbytně nutný například pro výměnu pamětí a podobně.
Nasliněný prst na svorkovnici domovního rozvaděče: Jó, paninko, máte tam ty Voltíky všecky...
A kutilmile - nelituju tě
!!!
A kutilmile - nelituju tě
!!!EKKAR: Nebo tam, kde nejsou vibrace. Atd. Na broučky v objímkách také není dobré aplikovat ochranný lak (samozřejmě). Prostě to není pro všechny konstrukce, ale pro některé třeba ano. Nejen hlupáci objímky používají. Na vibrace je třeba myslet, díky za poznámku.
Já jsem si zvykl hojně používat současné obyčejné laciné objímky. Ony mají takovou trochu skrytou a nezaručenou vlastnost, že když jsou vývody pouzdra DIL jakoby přesně v rastru, dají se v poslední fázi osazování zatlačit až do otvorů v plastovém tělese. Brouk pak sedí až skoro na ploše toho tělesa a drží tam docela pevně. Nezdá se, že by se tím objímka poškodila. Spíš se poškodí opakovaným vytahováním broučků obecně. Já raději broučky třeba při oživování zasunu do dalších objímek k tomu určených a takto je pak osazuji do těch zapájených na desce. Vývody objímek jsou v přesných pozicích a jsou tenčí a hladké, šetrné. V neopotřebované objímce přitom mají normální, spolehlivý kontakt. Přinejmenším některé typy obyčejných objímek mají vývody ze skoro nesmáčitelné a mizerně pájitelné slitiny a pájitelný galvanický povlak se z ní snadno utrhne. Takže pokud objímka není v normálním plošném spoji, chce to vývod drátkem před zapájením těsně omotat - myslím tím třeba tenký drátek na ovíjené spoje. Nejsem si úplně jistý, že se u takových objímek zapájený galvanický povlak časem působením nějakých sil v plošném spoji neoddělí od podkladu a elektrické spojení se nestane nespolehlivým. Pochopitelně se může pokazit kontakt mezi objímkou a vývodem nějakou povrchovou degradací, i když si myslím, že u neopotřebované objímky při běžných nárocích se to riziko spíše přeceňuje.
Shrnuto: Ano, objímky spolehlivost zařízení podle okolností víceméně zhorší. Jistě o tom někdo ví mnohem víc, než já.
Když už padla zmínka o odolnosti TTL vs. CMOS, řešíte někdo v praxi doopravdy u TTL bezpečnou hladinu logické jedničky, nebo ji klidně berete natvrdo z kladné svorky napájení? Tím nechci říci, že by to bylo úplně špatně. Rizikové by asi bylo jeden nevyužitý vstup hradla NAND takto připojit a na jiný poslat signál se zápornými překmity. Tomu se lze vyhnout připojením nevyužitého vstupu k využitému, což se tak jako tak u TTL NAND doporučuje, a pokud jsou všechny ostatní vstupy nepřístupné, zapojené jen uvnitř struktury integrovaného obvodu (třeba konstantní jednička na vstupu multiplexoru), záporné překmity na nich jistě nebudou. Nakonec pak asi jde jen o toleranci k poruše zdroje. Za sebe přiznávám, že jsem to neřešil a nedávno jsem svůj přístup pro příště částečně přehodnotil.
Já jsem si zvykl hojně používat současné obyčejné laciné objímky. Ony mají takovou trochu skrytou a nezaručenou vlastnost, že když jsou vývody pouzdra DIL jakoby přesně v rastru, dají se v poslední fázi osazování zatlačit až do otvorů v plastovém tělese. Brouk pak sedí až skoro na ploše toho tělesa a drží tam docela pevně. Nezdá se, že by se tím objímka poškodila. Spíš se poškodí opakovaným vytahováním broučků obecně. Já raději broučky třeba při oživování zasunu do dalších objímek k tomu určených a takto je pak osazuji do těch zapájených na desce. Vývody objímek jsou v přesných pozicích a jsou tenčí a hladké, šetrné. V neopotřebované objímce přitom mají normální, spolehlivý kontakt. Přinejmenším některé typy obyčejných objímek mají vývody ze skoro nesmáčitelné a mizerně pájitelné slitiny a pájitelný galvanický povlak se z ní snadno utrhne. Takže pokud objímka není v normálním plošném spoji, chce to vývod drátkem před zapájením těsně omotat - myslím tím třeba tenký drátek na ovíjené spoje. Nejsem si úplně jistý, že se u takových objímek zapájený galvanický povlak časem působením nějakých sil v plošném spoji neoddělí od podkladu a elektrické spojení se nestane nespolehlivým. Pochopitelně se může pokazit kontakt mezi objímkou a vývodem nějakou povrchovou degradací, i když si myslím, že u neopotřebované objímky při běžných nárocích se to riziko spíše přeceňuje.
Shrnuto: Ano, objímky spolehlivost zařízení podle okolností víceméně zhorší. Jistě o tom někdo ví mnohem víc, než já.
Když už padla zmínka o odolnosti TTL vs. CMOS, řešíte někdo v praxi doopravdy u TTL bezpečnou hladinu logické jedničky, nebo ji klidně berete natvrdo z kladné svorky napájení? Tím nechci říci, že by to bylo úplně špatně. Rizikové by asi bylo jeden nevyužitý vstup hradla NAND takto připojit a na jiný poslat signál se zápornými překmity. Tomu se lze vyhnout připojením nevyužitého vstupu k využitému, což se tak jako tak u TTL NAND doporučuje, a pokud jsou všechny ostatní vstupy nepřístupné, zapojené jen uvnitř struktury integrovaného obvodu (třeba konstantní jednička na vstupu multiplexoru), záporné překmity na nich jistě nebudou. Nakonec pak asi jde jen o toleranci k poruše zdroje. Za sebe přiznávám, že jsem to neřešil a nedávno jsem svůj přístup pro příště částečně přehodnotil.
Je to důležité hlavně u CMOS IO kde se na vstupu předpokládají překmity na jedničce dám do série s napájením odpor 100R a zenerku 10V paralelně s napájením.
Překmity na vstupu potom projdou přes vnitřní diodu do napájení kde se zastaví o zenerku a neovlivňují tak ostatní obvody a zabraňuje jejih poškození.
Toto opatření je nutné zejména v případech kdy všude kolem logiky teče pulzní proud mnohonásobně krát větší, než v samotné logice. ( případ třeba velkého Class D zesilovače) i v kombinaci převodníku napěťových hladin na vstupu v případě velkého rozdílu potenciálů.
Při napájení 100V 10A ještě ne, ale 340V 30A už jo, každý centimetr drátu pod proudem už generuje napětí, které může CMOS poškodit.
Překmity na vstupu potom projdou přes vnitřní diodu do napájení kde se zastaví o zenerku a neovlivňují tak ostatní obvody a zabraňuje jejih poškození.
Toto opatření je nutné zejména v případech kdy všude kolem logiky teče pulzní proud mnohonásobně krát větší, než v samotné logice. ( případ třeba velkého Class D zesilovače) i v kombinaci převodníku napěťových hladin na vstupu v případě velkého rozdílu potenciálů.
Při napájení 100V 10A ještě ne, ale 340V 30A už jo, každý centimetr drátu pod proudem už generuje napětí, které může CMOS poškodit.
Mně šlo o napěťovou odolnost přechodů E-B vstupního tranzistoru hradla NAND v TTL, která má v pětivoltové logice jen malou rezervu. Přitom logické úrovně mají hladiny vůči záporné napájecí svorce a logická jednička je platná už od 2,0 V na vstupu, takže napětí kolem 3 V třeba na zenerce KZ140 by bylo spolehlivé a bezpečné. U pull-up rezistorů třeba na otevřených kolektorech netuším, jak velký proud vstupním emitorem v závěrném směru by případně byl spolehlivě neškodný. Doplněno: Už to vím, 1 mA. Stačilo se podívat do doporučení v konstrukčním katalogu Tesla Bipolární logické... 1983-84. Ani těch kapacit níže bych se proto nebál Na spoji mezi kompletním výstupem a vstupem může napětí stoupnout kapacitními vazbami se sousedními signály ve svazku drátů. Pak je obdobnou otázkou, jak velká kapacita toho spoje vůči okolí (kostře) by mohla být případně nebezpečná při záporném překmitu na jiném vstupu.
U toho případu a řešení CMOS, jestli správně rozumím, jde o kompromis mezi rychlostí a bezpečností. Jakou kapacitou je pak napájení pouzdra přímo blokováno? Nebylo by rozumnější prostě vstupní signál připojit přes paralelní RC článek s docela malou kapacitou a napájení blokovat solidně?
U toho případu a řešení CMOS, jestli správně rozumím, jde o kompromis mezi rychlostí a bezpečností. Jakou kapacitou je pak napájení pouzdra přímo blokováno? Nebylo by rozumnější prostě vstupní signál připojit přes paralelní RC článek s docela malou kapacitou a napájení blokovat solidně?
Naposledy upravil(a) Lojza1 dne 15 srp 2024, 13:04, celkem upraveno 2 x.
Rozuměl jsem. Jen jsem zprostředkoval kazuistiky měřítek dávek záření pro smazání EPROM a ve srovnání s nimi pro zničení MOSů. Odhaduji u zubařských rentgenů orientačně kolem 50 .. 60 keV z wolframového terčíku. Pokud by plastem prošlo měkčí záření, třeba by byl pokus úspěšnější. Nevím. Pro mazání stačí mnohem menší energie fotonů. Pro bastlíře to nejspíš vypadá, že použité OTP EPROM jsou druhotně definitivně nepoužitelné a investiční resp. sběratelská cena nepoužitých může s časem růst, proto si je pro své potřeby nakoupit včas. Ovšem padělky v keramice jsou z Číny skoro zadarmo a jistě víceméně použitelné.
Před mnoha lety jsem donesl na bydžovskou chíru procáky 87H51 v plastu, provedení DIL40 OTP. Do jednoho jsme práskli 5 x podle rengenologa nejdelší čas a největší intenzitu, co ten starej Roengen uměl. Do druhýho jsme práskli 10x a do třetího 15x. Doma jsem všechny tři zverifikoval a naprosto nic se nezměnilo. S externí EPROMkou jedou kdesi dodnes.
Otázka je, jestli ty 87H51 mají klasickou EPROM, jestli v nich není něco jako PROMka.
Otázka je, jestli ty 87H51 mají klasickou EPROM, jestli v nich není něco jako PROMka.
Jirka
Proč mi nemůže všechno chodit hned ?!!
Proč mi nemůže všechno chodit hned ?!!