Umělá zátěž AR_PE_05_1996

Zpráva

lesana87 · #91 Příspěvek od **lesana87** » 03 bře 2025, 22:04

A nějaký IR, ST, Vishay, Motorola, Philips, Fairchild, NEC, Toshiba... bys tam měl?

JirkaZ · #92 Příspěvek od **JirkaZ** » 03 bře 2025, 22:14

Už jsem psal, že to není třeba rozpatlávat. Já se nepotřebuju ani hádat, ani někomu něco dokazovat.

Jestli máš dost času, klidně naházej třeba sto FBSOA charakteristik od zcela různých typů různých výrobců na jednu velkou stránku (kde to půjde posouvat přes sebe) a dej sem dokument nebo link. I ostatní si pak můžou dělat různé statistiky apod.

Já už jsem za sebe myslím řekl i ukázal dost a mám jiné povinnosti

lesana87 · #93 Příspěvek od **lesana87** » 03 bře 2025, 22:17

JirkaZ píše:Ještě ale položím otázku k zamyšlení: proč asi v IXYS/Littelfuse (a možná i jinde) vůbec otevírali záležitost obecně zvanou "linear MOSFETs with extended FBSOA"?

Nevím, že by marketing?

Přiznám se, že jsem ani nevěděla, že TI vyrábí MOSFETy a ten fenomén teplotní nestability mi je taktéž neznámý. Nemám žádný datašít MOSFETu, kde by neplatilo, že DC SOA je určená Pd. Holt jsem stará struktura, tak už budu radši šoupat v koutě nohama.

Celeron · #94 Příspěvek od **Celeron** » 04 bře 2025, 10:13

Tak kámoš kouknul, co to mají za FETa ve spínání magnetů a bohužel, není to IXTK60N50L2 ale názvem podobný IXFH50N60P3. Těch 1040W a 250 kaček za kus měl ale pravdu. Tak nevím, jestli ho vůbec zkoumat.

JirkaZ · #95 Příspěvek od **JirkaZ** » 04 bře 2025, 10:23

No, podobnost tam tedy vůbec nevidím... Asi jako hodinky a holínky.

Navíc IXFH50N60P3 vůbec nemá popsanou DC FBSOA, takže to bude zase sázka do loterie.

Nicméně pokud budeš mít univerzální řešení chladiče pro rozměrově podobná pouzdra, tak tam můžeš postupně zkoušet cokoliv...

Tu Cu roznášecí desku výše jsi zaregistroval?

Celeron · #96 Příspěvek od **Celeron** » 04 bře 2025, 12:36

Nezaregistroval. Asi jsem slepej, nikde k tomu nic nevidím.

Jestli myslíš podložit FETa mědí, tak pásovinu na rozváděčový šíny 40 x 5 mm tady mám. Ale obávám se, že tepelnej odpor FET-měd a potom měď - hliník žádný zásadní zlepšení nejspíš nepřinese.
K tý podobnosti. Myslel jsem v názvu. 50N60 nebo 60N50 se snadno splete. Oni zase zaměstnanci, kteří osazují desky a kompletují a oživují mašiny nenosí v hlavě přesný typy, co do desek strkají, prostě to vemou z škatule a vrazej to do desky. Kór když je to jedinnej velkej THT FET na desce a vše ostatní dělá SMD automat.

JirkaZ · #97 Příspěvek od **JirkaZ** » 04 bře 2025, 13:06

Tady. Bylo to jako dodatečný edit. Vlákno už je dlouhé...

U té mědi je zásadní, že se teplo mnohem lépe "rozleje" po ploše a styková plocha měď-hliník bude značně velká.

Proč se asi Cu vložky používají?

Jo a dolož si na tu kvalitní pastu a rovinnost + hladkost stykových ploch.

Celeron · #98 Příspěvek od **Celeron** » 04 bře 2025, 16:25

Hmm, to by nějak udělat šlo. V chladiči bych mohl vyfrézovat po celý dýlce šlic, kam by se vložila Cu pásovina. Jenže tam jde hlavně o rovinnost a hrubost obou povrchů. Pásovina je tažená, tam to není ideál. Muselo by se to srovnat na frézce, jenže jak chladičovej Al, tak elektrovodná měď je bláto, co se při frézování matlá a povrch není optimál. No a na brusce na plocho to nejde vůbec, hrne se to před kotoučem.

#99 Příspěvek od **EKKAR** » 04 bře 2025, 16:31

Celeron píše:...Muselo by se to srovnat na frézce, jenže jak chladičovej Al, tak elektrovodná měď je bláto, co se při frézování matlá a povrch není optimál. ...

No a co nám říká teorie třískovýho obrábění, žáku Fíku? Že se v takovým případě má zmenšit posun i řezná rychlost a MAZAT + CHLADIT!!!!!
Jak si myslíš, že se dělají dosedací plochy na chladiče?

Celeron · #100 Příspěvek od **Celeron** » 04 bře 2025, 18:22

Tak posun kličkou zmenšit zvládnu, otáčky frekvenčákem taky. Jenže mazat a chladit emulzí, to bych zasvinil všechno kolem frézky. Hliník se dobře dělá pod lihem, nevíš jak měď?

JirkaZ · #101 Příspěvek od **JirkaZ** » 04 bře 2025, 19:22

Já bych nic nefrézoval, ale prostě tu měď celoplošně přišrouboval (pokud je k dispozici rovina). Frézováním si zase zbytečně zmenšíš průřez hliníkového teplovodiče, proč to dělat?

Škoda, že jsi sem nedal fotku toho chladiče (nebo několik z více stran).

Jinak to plošné zbroušení až vyleštění (dle libosti, lesk je pochopitelně zbytečný) by možná šlo udělat brusným papírem pod vodu, nalepeným nebo spíš jen položeným a přichyceným na okrajích třeba k silnější skleněné desce.

Jasně že pracovat pod vodou, a to nejlépe stále přitékající malým pramínkem (aby se odplavovaly obroušené částice). Postupně zjemňovat zrnitost papíru a předmět (chladič, roznášecí desku) držet tak, aby se stranově nekýval, dělat výhradně kruhové pohyby. Brousil či skoro "lapoval" jsem takto s úspěchem různé díly.

Je to vlastně taková velmi hrubá obdoba ručního broušení zrcadla do astronomického dalekohledu

martinkopp · #102 Příspěvek od **martinkopp** » 04 bře 2025, 21:33

Jasně, nejlépe vyklepat kladivem.

Když to budeš šolíchat a nějak spojovat ručně, nejspíš tam vyrobíš takový tepelný odpor že to bude horší jak kdyby byl chladič jen z hliníku. Spíš bych se soustředil na odstranění izolační podložky, to bude mít pro tvůj účel mnohem větší přínos. Kup si na bazoši nějaký velký PC chladič s heatpipe který by těch 250W měl uchladit.

#103 Příspěvek od **EKKAR** » 05 bře 2025, 08:58

Nějaký CPU chladiče i s fukarem bych tady mít měl, na AMD, nepoužitý ještě v origo škatulce, jen bych musel pohrabat kam jsem je uložil, nikdo to v okolí nechtěl. Kupovali jsme se synátorem lepší 2-větrákový a origo "bulkový" nám zůstaly na vocet ...

martinkopp · #104 Příspěvek od **martinkopp** » 05 bře 2025, 15:01

"Bulkovým" 250W neuchladí. Respektive teplota bude vysoká, parametry pudou díky tomu do kopru a mosfet je záhy bude následovat tamtéž.

JirkaZ · #105 Příspěvek od **JirkaZ** » 05 bře 2025, 16:05

lesana87 píše:
JirkaZ píše:Ještě ale položím otázku k zamyšlení: proč asi v IXYS/Littelfuse (a možná i jinde) vůbec otevírali záležitost obecně zvanou "linear MOSFETs with extended FBSOA"?
Nevím, že by marketing?...

Něco marketingu v tom nejspíš bude, nicméně tady je technický článek k tématu (a je tam i princip paralelního řazení MOSFETů v elektronické zátěži se samostatnými budiči a snímacími odpory proudu). Zde je něco podobného od konkurence.