Umělá zátěž AR_PE_05_1996

Zpráva

workhard · #106 Příspěvek od **workhard** » 05 bře 2025, 23:05

Staří fachmani ve škodawerke tvrdili, že na měď je nejlepší pivo. Ale osobně vyzkoušené to nemám

Celeron · #107 Příspěvek od **Celeron** » 06 bře 2025, 13:08

Tak mám asi finál. V zátěži je nakonec IRFP90N20D (200V/94A/580W/0,023R). Je namontován bez izolační podložky na měděnej mezikus na upravenej původní chladič. Při trvalým zatížení 150W teplota kovový základny TO247 v bočním výřezu pouzdra nepřesáhla 71℃. Al chladič má maximálně 52℃ při trvale běžících větrákách. Podstatně lepší tepelný poměry, než když byl FET přes šedivou gumičku na hliníku chladiče.
Snímač teploty je na měděným mezikusu a je nastavenej na teplotu 70℃. Maximální proud, co zátěž sežere je 6,3A, prostě to co vydrží použitá trubičkovka 6,3A. Napětí jsem vyzkoušel 80V max při 1,8A. Ještě si na horní dekl vytisknu, zalaminuju a nalepím graf napětí/proud abych to někdy výkonově nepřehnal. Jedinný, co považuju za muškilu je, že na 10KHz je pokles proudu asi 15% proti nižším kmitočtům, 555 už FETa neutáhne.
Ale jinak konečná, krabice smontovaná a už stojí v regálu vedle jinejch měřáků.

#108 Příspěvek od **Cust** » 06 bře 2025, 14:35

Má to obří vstupní kapacitu. Na té frekvenci by to pro tento kravský fet chtělo dát driver, který mu do gate natlačí pořádný proud.

#109 Příspěvek od **EKKAR** » 06 bře 2025, 15:38

Místo extra driveru bych tam fláknul za tu 555ku nějakej šikovnej komplementární pár, třeba BC639/640 nebo BD139/140, do 100kHz to bude rychlý dost, aby to nekurwilo strmost hran impulsu - hlavně to jsou trandy, co v poho vydrží 1A trvalýho proudu, takže v krátkejch pulsech nabíjení/vybíjení kapacity gatu toho výkonovýho FETa bych se nebál jima pouštět násobek tohohle proudu.

barnodaj · #110 Příspěvek od **barnodaj** » 06 bře 2025, 16:37

Aby i ostatní věděli, o čem je tolik stran, ne každý má ten časopis.

fredis · #111 Příspěvek od **fredis** » 06 bře 2025, 18:09

A co je na první straně?

To snad není možný...

Celeron · #112 Příspěvek od **Celeron** » 06 bře 2025, 18:21

To víš, opakování je matka moudrosti.

edit: To platí i pro Karla: "Co sem dával za schema JirkaZ 1.3. v 11:37?"

#113 Příspěvek od **EKKAR** » 06 bře 2025, 19:26

Nevím co dával v 11:37, ale ve 23:37:51 postnul něco, co pojmenoval "push-pull_voltage_follower.png", čemuž ne každej nutně musí rozumět. Ale už naše babičky tvrdily, že "opakování je matka moudrosti", takže mou poznámku můžeš brát i jako svým způsobem potvrzení Jirkovy rady. Včetně uvedení konkrétních typů z mojí strany a argumentace "proč tyhle".

JirkaZ · #114 Příspěvek od **JirkaZ** » 06 bře 2025, 19:34

No prostě vlákno je už dlouhé a dnes je prý "normální", že se čtou tři věty a dost.

Nicméně i ten komplementární budič jsem dokonce i graficky zmínil výše. Jen bych tam dal něco odpovídajícího, třeba odtud.

Dříve bývaly schopnostmi podobné (nebo spíš lepší) transistory Zetex, kde je jim konec...

Takový driver se dá postavit na DPS velikosti nehtu u malíčku a vzniklý modul vložit coby součástku do stávajícího zapojení.

#115 Příspěvek od **EKKAR** » 06 bře 2025, 19:39

Pokud takovou věc jako Jirka (Celeron) stavíš, většinou nemáš k dispozici spešl drivery - a potřebuješ to učunit hned, nejpozdějc včera. A nemáš obchod disponující transportérem ze Startreku - takže otevřeš šuplík a začneš nahlas a zhluboka přemejšlet, z čeho jinýho takovou věc sbastlit, aby to nestálo majlant a dalo se to ukuchtit z toho, co v tom šuplíku má průměrnej bastlíř. BC639/640 nebo BD139/140 má snad skoro každej ...

JirkaZ · #116 Příspěvek od **JirkaZ** » 06 bře 2025, 20:06

Karle, nejsme všichni stejní...

Třeba já mám vhodných Zetexů i NXP dostatek (je fakt, že nejsem "průměrný bastlíř"). No a jsou i lidi, kteří toho mají neporovnatelně víc, než já, nebo zase mnohem méně.

Myslím, že tento diskusní "odkrok" je zcela zbytečný, prostě jsem Jirkovi poradil, co by tomu slušelo a ať si vybere sám.

#117 Příspěvek od **Cust** » 06 bře 2025, 20:34

Připojuju se k úkrok stranou: já bych našel v šupleti více integrovaných MOSFET driverů, malých JFETů, MOSFETů než BCček. Taky SiC MOSFETů, .... ale ty bipoláry moc nemám.

lesana87 · #118 Příspěvek od **lesana87** » 06 bře 2025, 20:54

Myslím, že problém není ve slabé 555ce a je zbytečné za ni strkat nějaké macaté drivery, když napětí z ní jde na tranzistor přes odpory v řádech stovek ohmů. Napětí pro gate se nastavuje spojitě.

JirkaZ · #119 Příspěvek od **JirkaZ** » 06 bře 2025, 21:04

Jenže v pulsním režimu ne, viz výše schema a i můj popis principu. Jde právě o to (asi nebylo explicitně zmíněno) snížit impedanci pro buzení G. Čili driver a za něj (před G) odpor řekněme jednotky Ω (ideální velikost odladit pomocí osciloskopu).

Nějak se začínáme cyklit

lesana87 · #120 Příspěvek od **lesana87** » 06 bře 2025, 21:08

Právě že v pulsním režimu se napětí na gate nastavuje spojitě těma potenciometrama a tím se nastavuje špičková hodnota proudu. A už přímo za tou 555 je z pohledu buzení parních FETů dost měkký dělič. Možná neznám elektrotermální nestabilitu u MOSFETů, ale slepá snad ještě nejsem.