SOAR pro tranzistor KDY76

[samec]

Potrebuješ uvažovať teplotu čipu (Tj), nie teplotu puzdra (Tc).

Otázne je, akú teplotu čipu uvažovali pri meraní tých grafov. Aký postup pri merani použili.

[PavelFF]

Uvažují pokaždé teplotu pouzdra 25st.C. Což zajistit doma je mimochodem oříšek při výkonu 150W.

Evidentní je, že u některých výkonových tranzistorů dochází ke zlomu na charakteristice SOAR (např. u KD503 při 30V nastává větší strmost chrakteristiky), zatímco u některých jako KDY76 zlom není a sklon je stejný až do 60V.
Přitom KD503 snese větší napětí Uce0/80V než KDY76 (Uce0 = 60V).

Grafy jiných výkonových tranzistorů jsou někdy zalomené, někdy ne. Pak se v tom vyznej.
Asi je čip některých tranzistorů při vyšších napětích choulostivější a výkon musí být relativně menší než při malých napětích. Jiným tranzistorům to nevadí nebo výrobce už přešel na čínskou metodiku.

[Habesan]

thermal runaway
Viz. t=109749
Souvisí to také s tvarem obrazce na čipu toho tranzistoru.

[samec]

Ber to tak, že v grafe je to, čo namerali pracanti na stole vo fabrike. A zrejme jediné, čo vedeli pri merani zaručene definovať, je teplota puzdra. Ak by do grafu dali teplotu čipu, už by to neboli fakty, ale domnienky. Preto je na tebe, aby si si tú teplotu čipu dorátal na vlastnú zodpovednosť. Ak* by sme vychádzali z predpokladu, že v každom bode SOAR krivky je tranzistor zaťažovaný stratovým výkonom odpovedajúcim súčinu napätia a prúdu v danom bode a zároveň lokálna teplota čipu za týchto podmienok sa limitne blíži k maximálnej dovolenej teplote čipu, tak vieš pre daný bod zrátať ekvivalentný tepelný odpor a z neho následne zrátať prípustnú výkonovú stratu v danom bode SOAR krivky pre inú teplotu puzdra.

*záleží na konkrétnej metodike merania.

[PavelFF]

KD503 má v SOAR při napětí 50V
povolený proud cca 1,3A , KDY76 při 50V má povoleno 3A , obé při 25°C.
A to i přesto, že vnitřní tepelný odpor KD503 je menší než u KDY76
( 0,866 °K/W vs. 1,17 °K/W) . Jak si tento rozpor , signalizující výrazně horší zatižitelnost KD503 oproti KDY76 vysvětlit...

Katalogy uvádějí docela rozdílné max. teploty přechodu. KD503 má 155st.C a KDY76 má 200st.C.
Při shodné teplotě pouzdra je (dokonce i přes větší tepelný odpor) novější tranzistor odolnější.

[feliz_navidad]

Obecně bych uvítal návod , jak z charakteristiky SOAR při 25°C získat charakteristiku SOAR při jiné teplotě , třeba 100°C. AI mi odpověď dává
neurčitou , je jasné že se stoupající teplotou musí jít Pmax dolů , ale
zda-li napětí či proud či obé v nějakém poměru neví. Já také ne .

Díky za radu / tip .

SOA(100°C)= SOA(25°C)*(Tjmax-100°C)/(Tjmax-25°C)

[Milan]

Díky moc kolegové, správnost uvedeného vzorce potvrzuje i AI a uvádí v druhém jejím odkazu také podrobné vysvětlení . Až budu mít chvíli , zkusím to přepočítat pro ty dva tranzistory, ten zdánlivý rozpor je zřejmě skutečně dán max. přípustnou teplotou vlastního čipu . AI však současně upozorňuje, že oblast "náchylnosti" k druhému průrazu může být odlišná ..... .

[feliz_navidad]

Když srovnám SOAR třeba KD503 s KDY76 , vidím v těch obrázcích buď chybu nebo si to špatně vysvětluji . KD503 má v SOAR při napětí 50V
povolený proud cca 1,3A , KDY76 při 50V má povoleno 3A , obé při 25°C.
A to i přesto, že vnitřní tepelný odpor KD503 je menší než u KDY76
( 0,866 °K/W vs. 1,17 °K/W) . Jak si tento rozpor , signalizující výrazně horší zatižitelnost KD503 oproti KDY76 vysvětlit a který z těchto tranzistorů
je tedy z hlediska bezpečnosti provozu při Uce 50V lepší ?

KD503 limituje pro Uce>30V druhý průraz, proto je horší než KDY76.
Otázka je, zda je ohledně druhého průrazu KDY76 skutečně o tolik lepší, nebo je to jen špatně narýsovaný graf.