Kontrola zapojení - spínání mosfetu N

Zpráva

jova1 · #1 Příspěvek od **jova1** » 15 úno 2026, 17:43

Zdravím, mohli byste mi zkontrolovat, zda je uvedené zapojení provozuschopné, případě doporučit změnu hodnot součástek?
Jedná se výkonový spínací obvod pro topné těleso 12V/14A, napájené z AKU 12V. Spínací tranzistor je na 40V/85A 2,6mΩ. BC516 je sice darlinkton, ale mám jich tu krabičku, tak snad v uvedeném zapojení to nevadí. Procesor bude tu teplotu regulovat PWM v kmitočtu cca 10Hz.

#2 Příspěvek od **teufel** » 15 úno 2026, 18:03

Vzhledem k tomu, že se nejedná o rychlé spínání na kmitočtech v řádu desítek až stovek kHz, můžeš klidně zapojit rezistor 22 ohmů přímo na gate MOSFETu a diodu BAT85 a BC516 vynechat. Zenerku 18 V tam nech, co kdyby se napájecí napětí omylem zvětšilo nad 20 V...

#3 Příspěvek od **masar** » 15 úno 2026, 18:08

Použití darlingtonu v gejtu tohoto mosfetu bych se raději vyhnul. Hlavně kvůli Vgs = 1V (min), což je stejná hodnota jako Vcesat tranzistoru.

lesana87 · #4 Příspěvek od **lesana87** » 15 úno 2026, 18:12

Zase na druhou stranu, proč ten MOSFET zbytečně namáhat a pálit na něm energii. Já bych jen přesunula ten odpor 22R do gate. Asi bych měla trochu strach o tu diodu paralelně k topidlu, dala bych tam třeba FR302 kuchnutou z PC zdroje.
Edit: S tím prahovým napětím má masar pravdu.

OMA50 · #5 Příspěvek od **OMA50** » 15 úno 2026, 18:41

G přímo budit třeba z komplementáru malýho,zenerku nech.

Ten obvod s diodou a PNP darlinktonem je zbytečně komplikovaný.-

jova1 · #6 Příspěvek od **jova1** » 15 úno 2026, 19:10

Děkuji za vaše rady, přesunul jsem rezistor do gate, dal tam tesla transistory, změnil diodu u zátěže a zmenšil bázový rezistor, na prvním tranzistoru. Může to takto být?

HF_Tech · #7 Příspěvek od **HF_Tech** » 15 úno 2026, 19:35

Mňo, jestli je to procesor s napájením 5V, tak je celý ten ansámbl zbytečný a stačí mezi gate a mcu dát odpor 100R a mezi gate a source dát 47k, aby to nebliklo při zapnutí než se nastaví nožičky CPU.

feliz_navidad · #8 Příspěvek od **feliz_navidad** » 15 úno 2026, 20:57

AOT240L má při 4,5V Qg max 32nC. Jestli dá výstup MCU 10mA, tak je doba sepnutí/rozepnutí cca 3us. Spínací ztráta je přibližně 0,5*12*14*(3us+3us)*10 = 5mW.

Řešení dle HF_Tech je naprosto dostačující.

#9 Příspěvek od **masar** » 15 úno 2026, 22:22

Ano. Jen bude mosfet topit o cca 100mW víc, než by topil při 10V (při střídě 100%).

feliz_navidad

Což je přesně stejný výkon, kterým topí ten budící obvod.

HF_Tech · #11 Příspěvek od **HF_Tech** » 16 úno 2026, 08:02

On bude topit ještě o malinko víc, ale zase při těch hranách a nějaké rozumné PWM frekvenci nebude rušit vše okolo.

feliz_navidad

Jo, 150-250mW, podle toho jak velký chladič mu jova1 dá.

#13 Příspěvek od **masar** » 16 úno 2026, 09:11

Tak nevím, jakou "kalkulačku" používáte, ale pro TO220 & Ugs=4.5V & Rdson=3mΩ & 25°C:
P=I²*R = 14² * 0.003 = 0.588W
+ spínací ztráty.
Při Ugs=10V to je o zmíněných cca 100mW méně.
Ztráty s teplotou významně rostou, takže bez chladiče to nepůjde.

feliz_navidad

Vždyť jsem psal, podle toho jak velký chladič bude.
Worst case je cca 1180 vs cca 910mW.

HF_Tech · #15 Příspěvek od **HF_Tech** » 16 úno 2026, 09:37

1W hravě uchladíš i když TO220 přišroubuješ přímo na plošňák. Proti výkonu topného tělesa je to zanetbatelné.
Když pošleš na ten MOSFET nějakou nesmyslně vysokou frekvenci, tak spínací ztráta tu statickou může převýšit poměrně hravě. A navíc si můžeš zarušit vlastní měření teploty.