Spinani pomoci FET trazistoru

Problémy s návrhem, konstrukcí, zapojením, realizací elektronických zařízení

Moderátor: Moderátoři

Odpovědět
Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
Denisak
Příspěvky: 6
Registrován: 10 črc 2007, 00:00

Spinani pomoci FET trazistoru

#1 Příspěvek od Denisak »

Dobry den,
potrebuji spinat 5V, CMOS signalem 3.3V. Ve schematu mam naznaceno jak bych to resil pomoci Fet tranzistoru. Nevim zda neni nejake jednoduchsi reseni? A bylo by tohle vubec funkcni ? Predem diky za odpoved.
Přílohy
Schema-1.JPG
(23.63 KiB) Staženo 182 x
Uživatelský avatar
dolac
Příspěvky: 491
Registrován: 10 črc 2005, 00:00

#2 Příspěvek od dolac »

Nepoznám tieto typy tranzistorov, ale namiesto prvého by som radšej použil bipolar, a ten 100R odpor je tam zbytočne. 3,3V na hradle už môže byť trochu málo na jeho otvorenie.
Ak máš na vstupe CMOS, tak potom zase na čo je tam vstupný delič?
Uživatelský avatar
Denisak
Příspěvky: 6
Registrován: 10 črc 2007, 00:00

#3 Příspěvek od Denisak »

Mno ten 100 ohmovy odpor tam je zbytecny to uznavam, ale vstupni delic u mosfetu musi byt vzdy, neboť v okamžiku přepnuti musi budič dodavat po dobu asi 0,5us impulsni kapacitni proud. V mem pripade Igmax = 3.3V/1k => 3mA. Je tam taky kvuli zpomaleni. A ten 10k odpor na vstupu tam je jen projistotu, v pripade preruseni ridiciho signalu by uroven byla ve vzduchu. Mohl bych ho zmenit na 45k. Ale pro sepnuti toho tranzistoru staci 2.5V.
Uživatelský avatar
dolac
Příspěvky: 491
Registrován: 10 črc 2005, 00:00

#4 Příspěvek od dolac »

Denisak píše:vstupni delic u mosfetu musi byt vzdy, neboť v okamžiku přepnuti musi budič dodavat po dobu asi 0,5us impulsni kapacitni proud. V mem pripade Igmax = 3.3V/1k => 3mA.

No a čo? Pretečie tam taký prúd, aký mu dodá budič.

Denisak píše: Je tam taky kvuli zpomaleni.

Čo chceš preboha spomaľovať ? U FET-ov chceme predsa aby spínali čo najrýchlejšie. (Minimálne kvôli stratám)
Denisak píše:A ten 10k odpor na vstupu tam je jen projistotu, v pripade preruseni ridiciho signalu by uroven byla ve vzduchu. Mohl bych ho zmenit na 45k. Ale pro sepnuti toho tranzistoru staci 2.5V.

Ak chceš mať istotu, tak tam daj hocijaký bipolar. Na čo tam dávať FET?

A vôbec, na čo sa pýtaš na jednoduchšie riešenie, keď má potom presviedčaš, že tvoje zložitejšie je lepšie.
A z čoho to vlastne budíš? Ak z nejakého CMOS čislicového obvodu, tak tam nebudeš mať 3,3V ale asi 5V, takže tam prvý tranzistor vlastne vôbec nepotrebuješ.
Uživatelský avatar
Denisak
Příspěvky: 6
Registrován: 10 črc 2007, 00:00

#5 Příspěvek od Denisak »

Pravda asi to prezije... Budicem je MCU s 3.3V logikou. S tim bipolarem to je fakt. Dik :o)))

Btw:
Chtel sem jen vedet jestli nekoho nahodou nenapadne neco chytrejsiho :o)))
Odpovědět

Zpět na „Řešení problémů s různými konstrukcemi“