Napěťová ztráta na mosfetech

Zpráva

#16 Příspěvek od **stepa** » 12 říj 2008, 21:13

Bud musis pouzit budice pro horni MOSy, ktery ti posunou napeti "umele" vys, aby se ti otevrely, nebo IO s full H-bridgem(pouze vystupy na motor), nebo budic s integrovanymi hornimi MOSy a vystupy na gate dolnich MOSu(treba IR3220S-to jsem pouzival naposledy...dobrej svabik). Elegantnich reseni je spoustu, jenom si musis vybrat.

mcu · #17 Příspěvek od **mcu** » 12 říj 2008, 21:25

Takže kdybych horní mosfety budil přes bipolární tranzistor a dal jim na GATE 12V, tak by to snad zaručilo Vgs>5 ? Podle datasheetu může být Vgs až 16V.

mcu · #18 Příspěvek od **mcu** » 12 říj 2008, 23:02

I když by potom Vgs bylo teoreticky 0V. Fakt tomu nerozumím.

mcu · #19 Příspěvek od **mcu** » 12 říj 2008, 23:08

Nemuselo by být potom napětí na D tranzistoru dokonce nižší, a to o 5V než napětí na G tranzistoru?