obyčejný MOSFET s nízkým vstupním proudem

Zpráva

zdenekxxx · #1 Příspěvek od **zdenekxxx** » 23 bře 2009, 23:48

Potřeboval bych poradit s výběrem FET tranzistoru

Chtěl bych postavit pikoampérmetr s modulační technikou, tedy bude se snímat napětí na rezistoru, toto napětí bude velmi malé(100uV) a pak bude zesíleno na požadovanou úroveň a dále zpracováno.
A já bych na vstupu chtěl použít modulátor posléze střídavý zesilovač a nakonec synchronní demodulátor. Podobně jako to je například u BM545.
Nechci použít na vstuou kvalitní stejnosměrný OZ, prostě bych si chtěl tu modulační techniku vyzkoušet a zároveň požaduji nízký vstupní proud a malý posuv nuly, řádově 10uV. Vše bude termostatováno.

Jde mi o to najít vhodné FETy do modulátoru. Následný první střídavý OZ bude mít malý vstupní proud, ale velký offset, což ovšem již nevadí.

Nemohu v záplavě dnešních výkonových FETů a speciálních OZ nic najít. Existují například dvojce spárovaných FETů? Či nějaký který má vstupní proud řádově desítky fA(spíše méně) při 25°C?
Naprosto nevím ani jakého výrobce hledat, děkuji za jakoukoli radu.

eljaro · #2 Příspěvek od **eljaro** » 24 bře 2009, 19:24

Nu nikomu se do toho nechce ! Ani se nediv ! gate u fetu je vlastně kondenzátor ! čím nižší kapacita tím nižší proud ale máto spoustu háčků a podmínek jen stěží se to definuje !Možná by šlo použít dvou bázový fet a záporné předpětí ,alternativ je několik ! nutno ale opět zasednouk literatuře a studovat !

PS: omluvte pravopis dík

radekrd · #3 Příspěvek od **radekrd** » 24 bře 2009, 22:49

Dobře to funguje i s obyčejnými spínači CMOS 4066 nebo lépe 74HC4066. Speciální FETy nejsou třeba, jen by měly mít co nejnižší kapacitu gate-kanál, aby se co nejvíce omezilo pronikání řídícího signálu. Lze to i kompenzovat druhým FETem buzeným v protifázi.

Stan3 · #4 Příspěvek od **Stan3** » 25 bře 2009, 09:30

Místo tranzistorů N-MOS-FET použít tranzistory JFET. Např.:http://www.gme.cz/cz/index.php?page=product&detail=213-065

Když tak sem na fórum dej schéma(toho vstupního obvodu), pak by se dalo poradit lépe.

#5 Příspěvek od **Cust** » 25 bře 2009, 09:31

mrknul bych se po kousku, který má již zmíněnou malou kapacitu a nízký šum - zapojení by mělo být takové, aby šum moc nezvyšovalo...

zdenekxxx · #6 Příspěvek od **zdenekxxx** » 25 bře 2009, 10:41

Udělal bych to asi podobně jak je v BM545(přiložené schéma vstupní části).

Modulační FET E1(zde KF521) je spínán, čímž tvoří dělič s R6,R7,R8,R11. tím mění ss napětí na střídavé, které je přeneseno přes kondenzátor C9 na střídavý zesilovač WSH218. Posléze je demodulováno E9,E10. Za demodulátorem je stejnosměrný zesilovač.
Zpětnovazení odpory za stejnosměrným zesilovačem jsou připojeny zpětně do bodu 9 nebo děliče R25,R26 podle rozsahu.
FET E2 slouží ke kompenzaci řídícího napětí přiváděného na gate E1.

Našel jsem zajímavého výrobce kvalitních nízkošumových JFETů(zajímavé že mají menší vstupní proud jak MOSFETy od téhož výrobce).
http://www.linearsystems.com/index.html
který vyrábí dvojce PJFET tranzistorů

zatím se mi nejvíc líbí
http://www.linearsystems.com/datasheets/LS830-3.pdf
měli by mít typický proud Igss 80fA ale proud Idoff není udáván....

rozhodně by tato dvojce šla použít jako nízkoproudový vstup diskrétnímu OZ.[/img]

spin90 · #7 Příspěvek od **spin90** » 05 čer 2019, 08:35

Ahoj,

A priamo s úpravou BM545 nemáte skúsenosti ? Chcel by som to vylepšiť ak by sa dalo. Vymeniť polovodiče za niečo kvalitnejšie. Má to zmysel ?

Vďaka