charakteristika FET

Zpráva

breta1 · #1 Příspěvek od **breta1** » 02 dub 2009, 14:24

Mám v grafu z datašítu 2SK1530.
Levý graf ukazuje při V ds=10V, V gs=3V proud Id= 2A, pravý při stejných podmínkách Id= 7A. Odečítám to špatně?

Andrea · #2 Příspěvek od **Andrea** » 02 dub 2009, 14:45

Já myslím, že to odečítáš dobře. Mám tu jinou verzi datašítu, průběhy jsou tam trochu posunuté, ale rozpor mezi grafem Id-Vds a Id-Vgs je tam stejný. Asi soudruzi z Japonska udělali chybu. Vyber si jiný tranzistor :wink:

PavelFF* · #3 Příspěvek od PavelFF* » 02 dub 2009, 15:21

Možná je to obojí dobře. Prostě vzali na každé měření jiný kus.

Aspoň si uvědomíš, že každý kus má velké tolerance - např. podle datašítu je rozptyl VGS(OFF) od 0,8 do 2,8 V ! Když to aplikuješ na tvůj pravý graf(posuneš začátek křivky do bodu 2,8V), tak dostaneš ještě míň jak 3A.

Je ale pravda, že jiní výrobci mají grafy nakreslené tak, aby to navzájem sedělo

#4 Příspěvek od **PavelFF** » 02 dub 2009, 15:44

Chtěl jsem napsat "...míň jak 2A".

Nesedí jim to , ale je to pravděpodobně v toleranci.

Kdyby byl graf závazný pro každý vyrobený kus, tak by se nemuselo dělat párování , nebo třídění do skupin (např. BF245A, B a C ).

Andrea · #5 Příspěvek od **Andrea** » 02 dub 2009, 16:01

V tabulce je udané Yfs = 5 S, při Uds = 10 V a Id = 5 A. To zhruba odpovídá tomu grafu vlevo. Ale podle grafu vpravo, je při stejných podmínkách Yfs = 12 S, což je silně v rozporu s tabulkou i s dalším grafem Yfs - Id, kde Yfs nedosahuje hodnot větších než asi 6,5 S. Takže asi tam nějaká chybka bude.

kybler · #6 Příspěvek od **kybler** » 02 dub 2009, 16:43

Když jsme u těch tranzistorů, nezkoušel někdo dělat s klasickými mosfety IRF840 a spol. VF výkonové zesilovače na KV v AB třídě? (2x5tranzistorů paralelně)

a) je pak lepší zesilovat s malou impedancí (IRF540) nebo velkou (IRF840), když trafo na výstupu bude vždy?

b) Dostanu to do vyšších frekvencí stejně jako elektronky a klasické tranzistory zapojením se společným gatem, nebo to nemá smysl? (ještě jsem nikde schéma ani zapojení mosfetu v sg kromě GHz aplikací neviděl)

c) udržím to při velkým podávaným výkonu (1kW) v přijatelným zkreslení, když to bude pracovat dejme tomu ve špičkách 10%U pod úrovní limitace?

#7 Příspěvek od **PavelFF** » 02 dub 2009, 17:44

Andrea píše:V tabulce je udané Yfs = 5 S, při Uds = 10 V a Id = 5 A. To zhruba odpovídá tomu grafu vlevo. Ale podle grafu vpravo, je při stejných podmínkách Yfs = 12 S, což je silně v rozporu s tabulkou i s dalším grafem Yfs - Id, kde Yfs nedosahuje hodnot větších než asi 6,5 S. Takže asi tam nějaká chybka bude.

Chybku tam formálně samozřejmě mají, měli dát do shody údaje na všech grafech. Jsou to lajdáci! A to se o asiatech říkalo, jací jsou svědomití a pečliví

. Prostě změřili jeden tranzistor, opsali hodnoty a pak ho omylem odpráskli. Tak začali měřit jinou závislost s dalším kouskem a zase bum. A tak dále.

Jinak mi hodnota 5 nebo 12 (S nebo něčeho jiného) připadá jako docela přijatelné rozpětí.
U bipolárních tranzistorů se uvádí proudový zesilovací činitel v rozsahu např. 30-140 , takže příslušné grafy pak nesouhlasí s většinou vyrobených kusů, protože graf je kreslen jen pro konkrétní hodnotu zes. činitele.

Ale je fakt, že kdybych narazil na takový rozpor v grafech jako breta1 , divil bych se úplně stejně.

breta1 · #8 Příspěvek od **breta1** » 02 dub 2009, 18:04

Dekuji za dusevni utechu, ze nejsem uplne vygumovany. Kdysi jsem tem datasitum docela veril, v posledni dobe jsem ale narazil na spoustu chyb.
Mimochodem -komplement k tomu 2SK1530 je 2SJ200 a tam je to taky blbe.