Neviem ako merat Fet tranzistor

Zpráva

mirecko1111 · #1 Příspěvek od **mirecko1111** » 04 dub 2009, 17:27

Klasicky tranzistor (E, B,C) viem zmerat v pohode (na diodovom teste) ani mi netreba vediet kde ktory vyvod je ale horsie je to uz z tranzistorom Fet

Z teorie o FET viem asi tolko ze sa otvara alebo zatvara (podla typu) napetim. A ze v kludovom stave je bud otvoreny alebo zatvoreny...
Da sa to niejako jednoducho zmerat?

A ako zistit ci kondenzator ma kapacitu ak nemam merak na C?
Zasa mam len svoj sposob napr. cez diodovy test na meraku + na +C
a - na minus C a opacne na kratko to pipne.... Alebo sluchatko v serii s baterkou....

A je obvod ktory dokaze merat kapacitu C v zapojeni? Alebo bola to len fama co som odnekial pocul??

Dakujem pekne za odpovede!

petus · #2 Příspěvek od **petus** » 04 dub 2009, 18:37

Fet:Jedno schéma bylo na www.pandatron.cz
kondenzátor: a kapacita se dá změřit střídavým napětím(50Hz) z tvrdého zdroje napětí do série se dá mA metr.Co 1mA to 1uF.ALE POZOR NAPĚTÍ ZE ZDROJE NESMÍ BÝT VĚTŠÍ NEŽ NAPĚTÍ KONDENZÁTORU.A měřič kapacity,který by přímo měřil v zapojení jsem neviděl.Asi proto že by to bylo hodně nepřesné.Ale tester ano.Bylo uveřejněno v amaru.Koukni se do vyhledávače amara www.jirky.webz.cz

cabernet · #3 Příspěvek od **cabernet** » 05 dub 2009, 11:41

Ked ma byt FET tranzistor vadny, drvivou vacsinou sa javi pri merani ako skrat na rozdiel od bipolarnych tranzistorov.

#4 Příspěvek od **rnbw** » 05 dub 2009, 13:36

Vacsinou ano, ale obcas byvaju aj prerusene, alebo uplne zakerne maju zvysene Rds(on).

mirecko1111 · #5 Příspěvek od **mirecko1111** » 08 dub 2009, 13:52

Medzi vyvodom fet tranzistora G a S ma byt odpor asi 500 pri merani na diode test, alebo ma to byt oddelene?

#6 Příspěvek od **rnbw** » 08 dub 2009, 13:55

Diodovy test musi medzi G-S aj G-D ukazat nekonecno. Moze to v momente dotyku hrotu nieco ukazat, ale potom tam musi ostat nekonecno.

#7 Příspěvek od **forbidden** » 08 dub 2009, 13:57

Mezi G-S musi byt u DC proudu nekonecny odpor. Navic od kdy meri diodovy test odpor v Ohmech?

mirecko1111 · #8 Příspěvek od **mirecko1111** » 08 dub 2009, 13:59

Cize diodovy test v oboch smeroch GS musi ukazat nekonecno? To iste aj pri GD? Dobre chapem??

#9 Příspěvek od **rnbw** » 08 dub 2009, 14:03

Ano, presne tak. FET je riadeny napatim, do gate netecie v ustalenom stave ziadny prud.

mirecko1111 · #10 Příspěvek od **mirecko1111** » 08 dub 2009, 14:04

Dakujem Vam velmi pekne za pomoc!

Semir · #11 Příspěvek od **Semir** » 09 dub 2009, 07:46

Pre orientačné meranie MOSFETOV používam digitálny merač prepnutý na diódový test, a robím to takto:
Pre MOS s kanálom typu N
- mínus na D, plus na S – napätie je asi 450 mV - hoci podľa typu môže byť asi 350 až 550 mV.
- mínus na S, plus na D – neukáže žiadne napätie
- prechod medzi G-S, G-D bez ohľadu na polarizáciu neukáže žiadne napätie, ale ak sa pripojí plus na G a mínus na S spôsobí otvorenie D-S a napätie na prechode je asi 20 mV.
- skratovanie vývodov G-S spôsobí návrat do východzieho stavu.
- pre MOS typu P sú všetky merania ako vyššie spomenuté, akurát s opačnou polaritou. Treba ešte pamätať, že ak je otvorený prechod D-S, je len v jednom smere

breta1 · #12 Příspěvek od **breta1** » 09 dub 2009, 07:50

Treba ešte pamätať, že ak je otvorený prechod D-S, je len v jednom smere[/quote]

To asi ne. Když už ho tím měřákem mezi G a S otevřu, je D-S otevřený bez ohledu na směr (polaritu).

piitr · #13 Příspěvek od **piitr** » 09 dub 2009, 12:13

mirecko1111 píše:Medzi vyvodom fet tranzistora G a S ma byt odpor asi 500 pri merani na diode test, alebo ma to byt oddelene?

MOS-FET by měl být nevodivý v obou směrech. Ale J-FET se bude chovat jako obyčejná dioda. Někdo ty J-FET označuje taky jen "FET".

#14 Příspěvek od **forbidden** » 09 dub 2009, 12:50

MOSFET ma prece integrovanou tzv "body diode" tzn, ze v "zavernym smeru" bude vykazovat ubytek napeti jako zhruba na normalni diode.