Mam takovy trapný dotaz, ale nechce se mi to tu teď bastlit a zkoušet. Potřebuji spínat IGBT transistor, ale nechce se mi tam dávat budič, protože to je:
a) LowCost řešení
b) Není pro mě kritický čas plného otevření
Bohatě mi postačuje 100uS, protože PWM je 3Khz. Otázka zní, jestli to takto bude fungovat a dojde do těch 100uS k celkovému otevření a půjde to vybudit přes R30 (1k) a Q2 (2N3904) z TTL 5V MCU, nebo tam budu muset dát Darlington. Případně jestli by stačilo, kdyby byl R30 4k7. Napájení TTL logiky je oddělené přes spínaný zdroj 5V se společnou zemí.
Goody
PS: Spínaný proud bude do 4A
Spínání IGBT
Moderátor: Moderátoři
Spínání IGBT
- Přílohy
-
pulse.gif- vytržená ukázka ze schemy
- (9 KiB) Staženo 104 x
Naposledy upravil(a) goody dne 10 pro 2009, 15:21, celkem upraveno 1 x.
-
forbidden
- Příspěvky: 9442
- Registrován: 14 úno 2005, 00:00
- Bydliště: Brno (JN89GF)
- Kontaktovat uživatele:
Otazka je, jaky napeti je pred R30? Proud do hradla potece pres R29. Jaka je kapacita prechodu? Z ni a hodnoty R29 jde zhruba vypocitat cas otevreni.
P.S. IRF630 neni IGBT, ale normalni MOSFET.
jo, ted jsem si vsimnul, ze tam budes mit 5V, takze po ustaleni bude na hradlu asi 4,4 V. To chce kouknout do katalogu, jestli je pri tomto napeti uz dostatecne otevrenej pro tvy potreby.
P.S. IRF630 neni IGBT, ale normalni MOSFET.
jo, ted jsem si vsimnul, ze tam budes mit 5V, takze po ustaleni bude na hradlu asi 4,4 V. To chce kouknout do katalogu, jestli je pri tomto napeti uz dostatecne otevrenej pro tvy potreby.
Naposledy upravil(a) forbidden dne 10 pro 2009, 15:23, celkem upraveno 1 x.
forbidden píše:Jo tak to je jeste min, hlavne nezapomen, ze je dulezity napeti mezi G a S. Takze jestlize budes mit jeste nejakou zatez, tak to napeti nemusi byt dostatecny na otevreni (cast napeti bude na te zatezi).
Takze jestli to chapu dobře tak darlnigton, ale jak jsem psal, tak proud MAX 4A a TTL je napájeno nezávysle.
Naposledy upravil(a) goody dne 10 pro 2009, 15:30, celkem upraveno 1 x.
-
forbidden
- Příspěvky: 9442
- Registrován: 14 úno 2005, 00:00
- Bydliště: Brno (JN89GF)
- Kontaktovat uživatele:
goody píše:Takze jestli to chapu dobře tak darlnigton.
Dulezity je co bude za tim tranzistorem, takhle na casti se to neda rict. Napeti na gate meris vzhledem k zemi, ale pro otevreni je dulezity vzhledem k source. Takze jestlize bude ze source nejaka zatez na zem, tak se na ni ztrati napeti potrebny k otevreni.
Takže změna. Teď by měl přes G-S vždy protékat proud a TTL by to měla v pohodě vybudit, pokud to dám takto. Kafe už mi nepomáhá, takže snad pomůžete Vy 
goody
goody
- Přílohy
-
- pulse2.gif
- Oprava schemy
- (9.03 KiB) Staženo 159 x
Naposledy upravil(a) goody dne 10 pro 2009, 16:21, celkem upraveno 1 x.
-
ZdenekHQ
- Významný člen
- Příspěvky: 25519
- Registrován: 21 črc 2006, 00:00
- Bydliště: skoro Brno
- Kontaktovat uživatele:
Přesně tak, takhle nikdy ten fet naplno neotevřeš. Ovšem ve Tvým případě není problém si vyrobit pomocný zvýšený napětí a tím to otevírat, samozřejmě s ochranou zenerkou v gate.
Pulse2 je lepší, jen tam chybí příslušnej odpor, co ten fet zavře.
Pulse2 je lepší, jen tam chybí příslušnej odpor, co ten fet zavře.
Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]