Spínání IGBT

[goody]

Jo, to uz je lepsi. Proud bude pres G-S protekat jen dokud se nenabije kapacita prechodu, pak uz ne. Ale to ti nevadi, MOSFET bude uz seplej.
Jak pise Zdenek, dej tam jeste odpor, kterej zajisti vypnuti bez buzeni.

Jj. prave to tu pocitam. Bohate by mi stacil 10k pri tom PWM 3khz.

[Burajko]

Len daj pozor na pomer odporov,este zalezi aky pfet pouzijes,ake napatie ten fet potrebuje na optimalne otvorenie...

[goody]

Len daj pozor na pomer odporov,este zalezi aky pfet pouzijes,ake napatie ten fet potrebuje na optimalne otvorenie...

Jj. To jsem uz koukal. Max. 4V a zaverna kapacita je 50pf, takze by to melo byt dostatecne strmy. Pokud pocitam dobre, tak to tam v pohode bude. Jinak na scheme je to videt. PFET je tam IRF9520. Ten tu dokonce nekde mam v sufliku.

[Burajko]

Ja by som povedal ,ze 4v je minimum.Pouzi okolo 8v.Ale en trand je dost zastaraly...Rdson 0,6....Pouzi nieco novsie

[ZdenekHQ]

Však ten "zavírací" odpor může dát do kolektoru toho řídícího tranzistoru a ten v gate vyhodit, pokud nepřekročí povolený Ugs.

[goody]

Tak ten IRF mam doma. Nic mene, at to pocitam, jak to pocitam, tak pokud je napeti 15V a pomer 10k/470R, tak se to musi sakra otevrit pokazdy.

[goody]

Kdybych ten 470R vyhodil, tak by spickove protekal tim 2N nechutnej proud. Sice kratkou dobu, ale protekal )) Ten 15V je relativne velmi tvrdy. Tj. 6A !!!!!!! Pokud odpocitam tu diodu, na ktere je houby ubytek, ty 4 odpory 1,5R (0,38ohm), tak tam je mista pro tech 6A az se mi to nelibi )) a to jeste nepocitam posun potencialu tou 12V (13,6) Pb baterii, ktera je zapojena vuci zemi a vystupu tohoto obvodu. To by se asi nelibilo ani te Gate ))

[forbidden]

Nech to takto, tak to bude fungovat. Nabijeni takto male kapacity ti tak velky proudy neda, toho bych se vubec nebal. Navic u tak kratke doby se projevi snad i indukcnost vedeni atd...

[goody]

Mno kdyz to tak pocitam ))) tak tam bude stacit bohate 1k misto tech 10k. Pac stale by to na tu gate bylo moc, takze ten pomer musim paradoxne snizit.

[goody]

Nech to takto, tak to bude fungovat. Nabijeni takto male kapacity ti tak velky proudy neda, toho bych se vubec nebal. Navic u tak kratke doby se projevi snad i indukcnost vedeni atd...

Ta gate ma limit 20V. Kdyz i takto bude v rozsahu od 10V-19V. ) Takze mozna jeste zvysit tech 470R. Sice mirne, ale zvysit.

[forbidden]

Jestli je tech 15 V na anode diody proti zemi, tak muzes byt v naprostym klidu. Kde by se ti tam vzalo vic?

[goody]

Jestli je tech 15 V na anode diody proti zemi, tak muzes byt v naprostym klidu. Kde by se ti tam vzalo vic?

A co ta baterie, kterou tim dobijim ) To je 12V urcite ) Takze oprava je takto. Protoze mezi zemi a D je jeste akumulator.

[forbidden]

Clovece, baterie na to nemuze mit vliv, teda jestli bude plusem na drain a minusem na zem (coz predpokladam, jestli ji chces fakt dobijet). Ty resis napeti mezi gatem a sourcem.

[ZdenekHQ]

Kdybych ten 470R vyhodil, tak by spickove protekal tim 2N nechutnej proud. Sice kratkou dobu, ale protekal )) Ten 15V je relativne velmi tvrdy. Tj. 6A !!!!!!! Pokud odpocitam tu diodu, na ktere je houby ubytek, ty 4 odpory 1,5R (0,38ohm), tak tam je mista pro tech 6A az se mi to nelibi )) a to jeste nepocitam posun potencialu tou 12V (13,6) Pb baterii, ktera je zapojena vuci zemi a vystupu tohoto obvodu. To by se asi nelibilo ani te Gate ))

Ten nechutně velký proud je daný h21*Ib spínacího tranzistoru, takže při 4mA, popř. 0.4mA do báze a zisku 200 to bude s bídou 1 amper či o řád méně při použití 10K....

[goody]

Clovece, baterie na to nemuze mit vliv, teda jestli bude plusem na drain a minusem na zem (coz predpokladam, jestli ji chces fakt dobijet). Ty resis napeti mezi gatem a sourcem.

Jj. mas recht. Asi si pujdu na 2h lehnout a podivam se pak na to znova. Uz melu kraviny. Nic mene tim pomerem 1k/580R nic nepo....