Použijem označenie ako PavelFF, potom D1 predpokladám je zenerka Uz do 15V a D2 obyčajná dioda. Teoreticky by to pracovalo aj bez T, R, R, C, D1, D2. Ak sa na L objaví napätie, tak sa otvorí FET. Následne začne tiecť prúd cez L, R15, C, Tbe a tranzistor sa otvorí, čím zavrie FET. Na Gate FETu nesmie stúpnuť napätie nad 15V. Ak stúpne, cez D1 (ZD) sa otvorí T a zavrie FET (rýchla ochrana). Pri vyindukovaní záporného impulzu sú D2, RC, D1 v priepustnom smere a chránia T pred zničením záporným napätím Ube.
Ak je D1 iba obyčajná dioda, tak ide iba o ochranu T a predpokladá sa, že napätie na L neprekročí 15V a RC určuje šírku impulzu.
Diody mierne rýchlejšie ako tranzistor - rýchle spínacie 200V/1A
Fronius
Moderátor: Moderátoři
-
PavelFF
Nemyslím, že D1 je zenerka, protože zenerka má za úkol pouze chránit proti napěťovým špičkám, ale v tomto případě by způsobila předčasné vypnutí FETu, což by byl nežádoucí zásah do cyklu silového obvodu, rozhodila by se symetrie sycení trafa atd.
Když jsem psal, že zanedbávám úbytky na diodách a na B-E tranzistoru , tak to bylo proto, že jsem je považoval v daném případě za nepodstatné. FETovi je jedno, jestli je na G-S napětí 2V nebo 0V, v obou případech je v podstatě vypnutý. Takže vybíjecí tranzistor ani nemusí být sepnutý na příliš malý úbytek CE. Hlavně jde o rychlost odvedení náboje z gejtu a snížení napětí G-S pod nějaké 3-4V.
Odpor R1 (670(?) Ohmů) má podle mě jen vybít C1 během kladného (spínacího) pulzu, aby byl připraven na další vypínací cyklus. Z toho by mohla nějak vyjít jeho hodnota, pokud znáš velikost C1 a spínací kmitočet.
Když jsem psal, že zanedbávám úbytky na diodách a na B-E tranzistoru , tak to bylo proto, že jsem je považoval v daném případě za nepodstatné. FETovi je jedno, jestli je na G-S napětí 2V nebo 0V, v obou případech je v podstatě vypnutý. Takže vybíjecí tranzistor ani nemusí být sepnutý na příliš malý úbytek CE. Hlavně jde o rychlost odvedení náboje z gejtu a snížení napětí G-S pod nějaké 3-4V.
Odpor R1 (670(?) Ohmů) má podle mě jen vybít C1 během kladného (spínacího) pulzu, aby byl připraven na další vypínací cyklus. Z toho by mohla nějak vyjít jeho hodnota, pokud znáš velikost C1 a spínací kmitočet.
-
ZdenekHQ
- Významný člen
- Příspěvky: 25519
- Registrován: 21 črc 2006, 00:00
- Bydliště: skoro Brno
- Kontaktovat uživatele:
V podstatě, pokud je ten malej tranzistor spínanej přes těch 680ohm, tak ten kondík při rozumné kapacitě zrychlí sepnutí malýho tranzistoru. Jaká je tam vlastně frekvence spínání ?
Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
-
PavelFF
Když nevíš jistě, co tam bylo předtím, raději tam dej klasické rychlé na 200V. Schottky už nebudou o moc rychlejší a bude to bezpečnější. Propustný úbytek bude nepodstatný.
Aby to nebylo tak jednoduché, ještě by tam mohly být "soft recovery". Ale myslím, že zas tak moc na tom nezáleží.
Spíš ověř, jestli tvoje náhrady MOSFETů jsou opravdu ekvivalentní co do rychlosti, velikosti náboje, rychlosti zpětné diody,...
Jestli mají vyšší náboj, tak by spínací obvod nemusel stačit.
Aby to nebylo tak jednoduché, ještě by tam mohly být "soft recovery". Ale myslím, že zas tak moc na tom nezáleží.
Spíš ověř, jestli tvoje náhrady MOSFETů jsou opravdu ekvivalentní co do rychlosti, velikosti náboje, rychlosti zpětné diody,...
Jestli mají vyšší náboj, tak by spínací obvod nemusel stačit.