Porovnání Ge vs. Si tranzistory
Moderátor: Moderátoři
Porovnání Ge vs. Si tranzistory
Driftové tranzistory (OC170, 171) se nehodí ani k tomu, protože se jim přechod báze-emitor polarizovaný v závěrném směru proráží už pod 0,5V. Zato je lze použít v zapojeních s velmi malým napájecím napětím, běžně stačí 1,5V.
- radekrd
- Příspěvky: 642
- Registrován: 21 kvě 2008, 00:00
- Bydliště: Moravský Krumlov
- Kontaktovat uživatele:
Kromě náhrady při poruše historických přístrojů bych je asi dobrovolně nikam necpal. Ty svodové proudy jsou tak velké, že při zkoušce ohmetrem jeden neví, jestli je tranzistor dobrý nebo v pánu.
Teď si vzpomínám ještě na jedno použití Ge tranzistorů v pouzdrech co měly 101NU70 a spol. Používal jsem jejich kovové čepičky jako subtilní ozdobná tlačítka na izostaty. Stačilo tranzistor zahřát nad plynem a systém vystřelil ven. Zůstal elegantní kovový klobouček - tlačítko. To jsem dělal v době obecného nedostatku materiálu.
7x 154NU70
3x GC509
3x GS506 (u dvou je poslední číslice nečitelná)
2x ?507
1x ?156?
2x OC75
1x OC76
4x OC1075
1x OC170
22x dioda OA 1160
15x dioda OA 1161
Je to spíš orientačně, protože, někde jsem jen hádal typ podle ostatních, tam kde ani to nešlo je "?".
Na půdě a ve sklepě ještě něco bude, ale tam se zatim nedostanu.
Osobně jsem před 30ti lety zkoušel porovnat šum KC508 nebo 509 a GC508 a germanium znatelně vyhrálo. Pamatuju si, že ten GC musel být bez bázového odporu, využíval jsem jeho IC0. Kdybych si našel čas, tak to zkusím znovu.
Uvědomte si, že křemík se prosadil kvůli tomu, že se hodí pro výrobu integrovaných obvodů.
Někde sem četl, že se Ge a Si vrstvy v IO mixují dle potřeby.